半導体装置の製造方法およびアニール方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-124230
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251361
出願日： 2012年05月31日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：

【課題】半導体基板に不純物をドーピングした後の不純物活性化アニールが低温であっても十分に結晶欠陥を修復することができる半導体装置の製造方法およびアニール方法を提供すること。【解決手段】半導体基板における不純物拡散層形成領域へ不純物をドーピングする工程と、不純物をドーピングした後の半導体基板に、加熱ランプを用いたランプアニールとマイクロ波を照射するマイクロ波アニールを含むアニール処理を施して不純物を活性化する工程とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板における不純物拡散層形成領域へ不純物をドーピングする工程と、前記半導体基板に、加熱ランプを用いたランプアニールとマイクロ波を照射するマイクロ波アニールを含むアニール処理を施して不純物を活性化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01L 21/26 , H01L 21/20

FI (5件)：

H01L21/265 602B , H01L21/265 602Z , H01L21/26 F , H01L21/265 F , H01L21/20

Fターム (14件)：

5F152AA12 , 5F152BB02 , 5F152CC08 , 5F152CE03 , 5F152CE32 , 5F152CE33 , 5F152CE36 , 5F152CE39 , 5F152CE46 , 5F152EE16 , 5F152FF14 , 5F152FF15 , 5F152FF39 , 5F152FF46

引用特許：

審査官引用 (6件)

ダメージと抵抗の小さいウルトラシャロージャンクションを形成する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-504269 出願人：バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-228924 出願人：株式会社東芝
急速熱アニーリング・システム及び方法を用いた非熱的アニーリング
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-548296 出願人：バリアン・セミコンダクター・イクイップメント・アソシエーツ・インコーポレーテッド

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