特許
J-GLOBAL ID：201303029930197773
ガスセンサ制御装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
安部 誠
, 大井 道子
, 福富 俊輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-091961
公開番号（公開出願番号）：特開2013-221783
出願日： 2012年04月13日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：
【課題】センサ応答性の低下を防止することができるガスセンサ制御装置を提供する。【解決手段】ここで開示されるガスセンサ制御装置10は、内燃機関1の排気通路29に配置され、センサ素子と、該センサ素子の少なくとも一部を覆う多孔質保護層と、を含むガスセンサ50と、ガスセンサ50に設けられ、センサ素子を加熱するヒータ部と、ヒータ部を通電制御するヒータ制御部32とを備え、多孔質保護層は、セラミックス粒子を含んでおり、セラミックス粒子は、平均粒径が12μm以下であり、かつ比表面積が20m2/g以下である。ヒータ制御部32は、内燃機関1の始動時に、センサ素子の温度が所定の始動温度となるように、ヒータ部への通電を行う始動時通電処理と、始動時通電処理の後、センサ素子の温度が該センサ素子の活性化温度に維持されるように、ヒータ部への通電を行う通常通電処理とを実行し得るように構成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
内燃機関の排気通路に配置され、センサ素子と、該センサ素子の少なくとも一部を覆う多孔質保護層と、を含むガスセンサと、
前記ガスセンサに設けられ、前記センサ素子を加熱するヒータ部と、
前記ヒータ部を通電制御するヒータ制御部と
を備え、
前記多孔質保護層は、セラミックス粒子を含んでおり、
前記セラミックス粒子は、レーザ散乱法に基づく平均粒径が12μm以下であり、かつ、窒素吸着法に基づく比表面積が20m2/g以下であり、
ここで前記ヒータ制御部は、
前記内燃機関の始動時に、前記センサ素子の温度が所定の始動温度となるように、前記ヒータ部への通電を行う始動時通電処理と、
前記始動時通電処理の後、前記センサ素子の温度が該センサ素子の活性化温度に維持されるように、前記ヒータ部への通電を行う通常通電処理と
を実行し得るように構成されている、ガスセンサ制御装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
2G004BB04
, 2G004BD04
, 2G004BF09
, 2G004BJ03
, 3G091AA17
, 3G091AA23
, 3G091AA28
, 3G091AB03
, 3G091BA27
, 3G091EA05
, 3G091EA07
, 3G091EA17
, 3G091EA30
, 3G091EA34
, 3G091FA01
, 3G091GB05W
, 3G091GB17Z
, 3G091HA37
, 3G091HA42
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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