特許

J-GLOBAL ID：201303030095101938

光電変換素子の製造方法

発明者： 東 耕平 ,  前原 佳紀 ,  塚原 次郎
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-148791
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016669
出願日： 2011年07月05日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：

【課題】短絡故障が抑制された太陽電池を、低工程数および低コストで製造する。【解決手段】支持体10上に、補助金属配線26を形成する工程と、多官能(メタ)アクリルモノマーを含む組成物を重合してなる透明樹脂で補助金属配線26の開口部を埋め込むと共に補助金属配線を被覆して透明絶縁層30を形成する工程と、透明絶縁層30を、補助金属配線26の表面の少なくとも一部が露出すると共に開口部における透明絶縁層30の表面が補助金属配線26の表面と略同一平面となるまでエッチングする工程と、透明絶縁層30及び補助金属配線26の表面上に下部電極層12を形成する工程と、下部電極層12上に光電変換層15および上部電極21を順次形成する【選択図】図1C

請求項（抜粋）：

支持体上に、複数の開口部を有する補助金属配線と、少なくとも前記開口部に充填された透明樹脂からなる平坦化層とを有する補助電極と、 下部電極と有機材料を含む光電変換層と上部電極とをこの順に積層してなる光電変換素子を備えた太陽電池の製造方法であって、 前記支持体上に、前記補助金属配線を形成する工程と、 多官能(メタ)アクリルモノマーを含む組成物を重合してなる透明樹脂で前記開口部を埋め込むと共に前記補助金属配線を被覆して透明絶縁層を形成する工程と、 前記透明絶縁層を、前記補助金属配線の表面の少なくとも一部が露出すると共に前記開口部における該透明絶縁層の表面が該補助金属 配線の表面と略同一平面となるまでエッチングする工程と、 前記透明絶縁層および前記補助金属配線の表面上に前記下部電極を形成する工程と、 前記下部電極上に前記光電変換層および上部電極を順次形成する工程とを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 51/42

FI (1件)：

H01L31/04 D

Fターム (6件)：

5F151AA11 ,  5F151CB13 ,  5F151CB27 ,  5F151DA07 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03