電力変換装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人あいち国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-033149
公開番号（公開出願番号）：特開2013-172194
出願日： 2012年02月17日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：

【課題】パワー半導体素子を過電流から効果的に保護することができる電力変換装置を提供すること。【解決手段】電力変換装置1は、パワー半導体素子2と、パワー半導体素子2のスイッチング動作を制御する駆動信号を出力する駆動回路3と、パワー半導体素子2に流れる被制御電流によって生じる誘導磁界を検知して、検知した誘導磁界の大きさに応じて抵抗値が変化する磁気トンネル接合素子4と、磁気トンネル接合素子4に対して、誘導磁界と逆向きのオフセット磁界を作用させるオフセット付与磁石5と、パワー半導体素子2に流れる被制御電流の大きさが所定の閾値を超えたときに生じる磁気トンネル接合素子4の抵抗値変化に伴い、パワー半導体素子2への駆動信号の供給が停止してパワー半導体素子2が遮断状態となるよう構成した保護回路6とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

供給される電力を変換するためのスイッチング動作を行うパワー半導体素子(2)と、該パワー半導体素子(2)のスイッチング動作を制御する駆動信号を出力する駆動回路(3)と、上記パワー半導体素子(2)に流れる被制御電流によって生じる誘導磁界を検知して、検知した該誘導磁界の大きさに応じて抵抗値が変化する磁気トンネル接合素子(4)と、該磁気トンネル接合素子(4)に対して、上記誘導磁界と逆向きのオフセット磁界を作用させるオフセット付与磁石(5)と、上記パワー半導体素子(2)に流れる被制御電流の大きさが所定の閾値を超えたときに生じる上記磁気トンネル接合素子(4)の抵抗値変化に伴い、上記パワー半導体素子(2)への上記駆動信号の供給が停止して上記パワー半導体素子(2)が遮断状態となるよう構成した保護回路(6)とを備えていることを特徴とする電力変換装置(1)。

IPC (3件)：

H03K 17/08 , H02M 1/08 , H02M 7/48

FI (3件)：

H03K17/08 Z , H02M1/08 A , H02M7/48 M

Fターム (33件)：

5H007AA17 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CB05 , 5H007CC23 , 5H007DB03 , 5H007DC02 , 5H007FA03 , 5H007FA13 , 5H007FA19 , 5H740BA11 , 5H740BB05 , 5H740BC01 , 5H740BC02 , 5H740JA01 , 5H740JB01 , 5H740KK01 , 5H740MM12 , 5H740NN17 , 5J055AX25 , 5J055AX32 , 5J055AX52 , 5J055AX64 , 5J055BX16 , 5J055CX07 , 5J055CX20 , 5J055DX09 , 5J055EX21 , 5J055EY01 , 5J055GX01 , 5J055GX06 , 5J055GX07 , 5J055GX08

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