特許
J-GLOBAL ID:201303030727880490

SiC蛍光材料及びその製造方法並びに発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 重泉 達志
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-194383
特許番号:特許第5219230号
出願日: 2012年09月04日
要約:
【課題】発光効率を向上させたSiC蛍光材料及びその製造方法並びに発光素子を提供する。 【解決手段】炭素原子がキュービックサイトとヘキサゴナルサイトに配置されるSiC結晶からなり、ドナー不純物とアクセプタ不純物が添加された蛍光材料について、ドナー不純物の濃度は、アクセプタ不純物の濃度より高く、ヘキサゴナルサイトの炭素原子と置換されるドナー不純物に対する、キュービックサイトの炭素原子と置換されるドナー不純物の割合が、結晶構造におけるヘキサゴナルサイトに対するキュービックサイトの割合よりも大きくなるようにした。 【選択図】図2
請求項(抜粋):
【請求項1】 炭素原子がキュービックサイトとヘキサゴナルサイトに配置されるSiC結晶からなり、ドナー不純物とアクセプタ不純物が添加された蛍光材料であって、 ヘキサゴナルサイトの炭素原子と置換されるドナー不純物に対する、キュービックサイトの炭素原子と置換されるドナー不純物の割合が、結晶構造におけるヘキサゴナルサイトに対するキュービックサイトの割合よりも大きいSiC蛍光材料。
IPC (3件):
C09K 11/65 ( 200 6.01) ,  C09K 11/02 ( 200 6.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01)
FI (3件):
C09K 11/65 ,  C09K 11/02 A ,  H01L 33/00 186
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 蛍光基板及び発光装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2007-117424   出願人:エルシード株式会社
  • 蛍光体および発光ダイオード
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-087110   出願人:株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社

前のページに戻る