特許

J-GLOBAL ID：201303030755776305

複合半導体基板およびその製造方法

発明者： 沖田 恭子
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-107208
公開番号（公開出願番号）：特開2013-235952
出願日： 2012年05月09日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：

【課題】半導体基板の角部のチッピングを抑制することができる複合半導体基板およびその製造方法を提供することである。【解決手段】複合半導体基板10は、第1の半導体基板1と第2の半導体基板2とを有している。第1の裏面12と第2の表面21とが対向するようにして第1の半導体基板1と第2の半導体基板2とが固定され、かつ第1の縁周部15と第2の縁周部25との間に空隙4が形成されている。断面視において、第1の縁周部15および第2の縁周部25が仮想の一の円の円周および仮想の一の直線のいずれかの上に位置するように形成されている。第1の半導体基板1が厚みT1を有し、第2の半導体基板1が厚みT2を有したとき、円は、T1+T2≦2Rの関係を満たす半径Rを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

互いに対向する第1の表面および第1の裏面と、前記第1の裏面の外縁に接する第1の縁周部とを有する第1の半導体基板と、 互いに対向する第2の表面および第2の裏面と、前記第2の表面の外縁に接する第2の縁周部とを有する第2の半導体基板とを備え、 前記第1の裏面と前記第2の表面とが対向するようにして前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とが固定され、かつ前記第1の縁周部と前記第2の縁周部との間に空隙が形成されており、 断面視において、前記第1の縁周部および前記第2の縁周部が仮想の一の円の円周および仮想の一の直線のいずれかの上に位置するように形成されており、 前記第1の半導体基板が厚みT1を有し、前記第2の半導体基板が厚みT2を有したとき、前記円は、T1+T2≦2Rの関係を満たす半径Rを有する、複合半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/304 601B

Fターム (5件)：

5F057AA05 ,  5F057BA19 ,  5F057BB09 ,  5F057CA09 ,  5F057DA11