特許
J-GLOBAL ID：201303030971330826

基板吸着状態の判定方法およびプラズマ処理装置

発明者：
中村 真也

中村 真也 について

, 
森本 直樹

森本 直樹 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  鈴木 慎吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-012272
公開番号（公開出願番号）：特開2013-153017
出願日： 2012年01月24日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：
【課題】プラズマ処理を行う際の、処理槽内に配された支持体に対する基板の吸着状態を判定する方法と、それを実現するプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマを用いた処理槽101と、処理槽101内に配され、基板102を一面107sに接して載置する支持体103と、支持体103に付属し、一面107s近傍の温度を測定する手段104および温度を制御する手段105と、を備えてなるプラズマ処理装置100を用い、プラズマ発生前に、温度を測定する手段104によって、基板102の第一温度T1を測定し、プラズマ発生後に、温度を測定する手段104によって、基板102の第二温度T2を測定し、第一温度T1と第二温度T2の差T2-T1を示す数値に付随する正負の符号に基づいて、支持体103に対する基板102の吸着状態を判定する工程を有する、ことを特徴とする基板吸着状態の判定方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラズマを用いた処理槽と、 前記処理槽内に配され、基板を一面に接して載置する支持体と、 前記支持体に付属し、前記一面近傍の温度を測定する手段と、 前記支持体に付属し、前記一面近傍の温度を制御する手段と、 前記基板の近傍にプラズマを発生させる手段と、を備えてなるプラズマ処理装置を用い、 プラズマを発生させる前に、前記温度を測定する手段によって、前記一面近傍の第一温度T1を測定し、 プラズマを発生させた後に、前記温度を測定する手段によって、前記一面近傍の第二温度T2を測定し、 前記第一温度と前記第二温度の差分を求め、(T2-T1)>0となる場合に、前記支持体に対する前記基板の吸着状態を正常と判定する、ことを特徴とする基板吸着状態の判定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/683 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
H01L21/68 R ,  H01L21/265 F ,  H01L21/302 101G ,  H01L21/205
Fターム (20件)：
5F004BB07 ,  5F004BB22 ,  5F004BD04 ,  5F004CA04 ,  5F004CA08 ,  5F031CA02 ,  5F031HA10 ,  5F031HA16 ,  5F031HA38 ,  5F031JA30 ,  5F031JA46 ,  5F031JA51 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F045AA08 ,  5F045BB20 ,  5F045DP02 ,  5F045EM05 ,  5F045GB05 ,  5F045GB15
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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