特許
J-GLOBAL ID：201303031136068653

めっき処理方法、めっき処理装置および記憶媒体

発明者：
水 谷 信 崇

水 谷 信 崇 について

, 
田 中 崇

田 中 崇 について

, 
岩 下 光 秋

岩 下 光 秋 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (7件)： 勝沼 宏仁 ,  永井 浩之 ,  磯貝 克臣 ,  岡田 淳平 ,  森 秀行 ,  堀田 幸裕 ,  岡村 和郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-123621
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251344
出願日： 2012年05月30日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：
【課題】凹部の内面に形成されるめっき層の厚みの均一性を向上させることができるめっき処理方法を提供する。【解決手段】めっき処理方法は、凹部12が形成された基板1をケーシング101の内部に準備する工程と、めっき液を基板2に対して供給し、特定機能を有するめっき層15を凹部12の内面に形成するめっき工程と、を備えている。めっき工程は、第1めっき液を基板2に対して供給し、第1めっき層13を形成する第1めっき工程S21と、第1めっき工程S21の後に、第2めっき液を基板2に対して供給し、第1めっき層13上に第2めっき層14を形成する第2めっき工程と、を含んでいる。ここで、第1めっき液に含有される添加剤の濃度と、第2めっき液に含有される添加剤の濃度とが異なっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板に形成された凹部に対して無電解めっき処理を行うめっき処理方法において、 前記凹部が形成された基板をケーシングの内部に準備する工程と、 めっき液を基板に対して供給し、特定機能を有するめっき層を前記凹部の内面に形成するめっき工程と、を備え、 前記めっき工程は、第1めっき液を基板に対して供給し、第1めっき層を形成する第1めっき工程と、前記第1めっき工程の後に、第2めっき液を基板に対して供給し、前記第1めっき層上に第2めっき層を形成する第2めっき工程と、を含み、 前記第1めっき液に含有される添加剤の濃度と、前記第2めっき液に含有される添加剤の濃度とが異なっている、めっき処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  C23C 18/16
FI (4件)：
H01L21/288 E ,  H01L21/28 A ,  H01L21/88 J ,  C23C18/16 B
Fターム (47件)：
4K022AA05 ,  4K022BA06 ,  4K022BA08 ,  4K022BA23 ,  4K022BA24 ,  4K022CA09 ,  4K022CA28 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB03 ,  4K022DB08 ,  4K022DB18 ,  4K022DB28 ,  4K022DB30 ,  4M104BB04 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104DD21 ,  4M104DD53 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ13 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT07 ,  5F033WW10 ,  5F033XX00 ,  5F033XX02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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