特許
J-GLOBAL ID：201303031144644272
ステンシルマスクブランクスとステンシルマスクの製造方法及びステンシルマスクブランクス並びにステンシルマスク
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-052937
公開番号（公開出願番号）：特開2013-186387
出願日： 2012年03月09日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：
【課題】SOI基板から、シリコン活性層を支持するためのメッシュ状の壁を、シリコン層をドライエッチングすることにより形成する際に、メッシュ状の壁とシリコン活性層表面に発生する残渣を、前記表面を荒らすことなく除去する手段の提供である。【解決手段】3層構造のSOI基板の支持層表面に、アルカリ耐性を有し、フッ酸で剥離可能な、ドライエッチング耐性を有するハードマスク層を形成する工程、活性層表面に、アルカリ耐性を有しフッ酸で剥離可能な保護層を形成する工程、前記ハードマスク層表面に、レジストパターンを形成する工程、前記ハードマスク層および支持層を、レジストパターンを用いてドライエッチングし、開口部を形成する工程、前記支持層の側壁残渣を強アルカリ性の薬液で除去する工程、前記中間層と前記保護層をフッ酸により除去する工程、を備えているステンシルマスクブランクスの製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
支持シリコン層、酸化シリコン層、シリコン活性層がこの順に積層されたSOI基板からステンシルマスクブランクスを製造する方法であって、
支持シリコン層上に、アルカリ耐性を有しフッ酸で剥離可能なハードマスク層を形成する工程と、
シリコン活性層上に、アルカリ耐性を有しフッ酸で剥離可能な保護層を形成する工程と、ハードマスク層上に、ハードマスクエッチング用レジストパターンを形成する工程と、
ハードマスク層とシリコン支持層をドライエッチングして開口部を形成する工程と、
前記工程で得られたSOI基板を強アルカリ性の薬液で洗浄する工程と、
酸化シリコン層、保護層、ハードマスク層を、フッ酸により除去する工程と、
を有することを特徴とするステンシルマスクブランクスの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
2H095BA08
, 2H095BB14
, 2H095BB19
, 2H095BC19
, 2H095BC24
