特許

J-GLOBAL ID：201303031150036020

ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  郡 大佑
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-112628
公開番号（公開出願番号）：特開2013-068928
出願日： 2012年05月16日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：

【課題】 高反射基板上でパターンを形成するための適度な吸収を有し、露光後のパターン形状と密着性と段差基板での埋め込み特性が良好で、また、イオンインプランテーションを行う際のイオンインプラント耐性を有するポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】 (A)カルボキシル基の水素原子が環構造を有する酸不安定基で置換された構造を有する繰り返し単位を含む、重量平均分子量が1,000〜500,000の高分子化合物と、(B)置換又は非置換のフルオレセインのノボラック樹脂とをベース樹脂として含有し、更に、光酸発生剤を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)カルボキシル基の水素原子が環構造を有する酸不安定基で置換された構造を有する繰り返し単位を含む、重量平均分子量が1,000〜500,000の高分子化合物と、(B)置換又は非置換のフルオレセインのノボラック樹脂とをベース樹脂として含有し、更に、光酸発生剤を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。

IPC (5件)：

G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  C08F 20/00 ,  C08G 8/04 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  C08F20/00 510 ,  C08G8/04 ,  H01L21/30 502R

Fターム (52件)：

2H125AF17P ,  2H125AF33P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AF53P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH12 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ02Y ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ18Y ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ52X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ69Y ,  2H125AJ84Y ,  2H125AK12 ,  2H125AL03 ,  2H125AL22 ,  2H125AM80P ,  2H125AN24P ,  2H125AN31P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CD08P ,  2H125CD37 ,  2H125CD38 ,  4J033CA02 ,  4J033CA05 ,  4J033CA22 ,  4J033HA02 ,  4J033HA12 ,  4J033HB10