特許

J-GLOBAL ID：201303031168685247

発光ダイオード、レーザーダイオード、フォトデテクタに適した電気的抵抗素子

発明者： クリスター ベアゲネク
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (2件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  久野 琢也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-553253
公開番号（公開出願番号）：特表2013-520021
出願日： 2011年02月01日
公開日（公表日）： 2013年05月30日
要約：

本発明は電気的な抵抗素子に関している。この抵抗素子は、半導体材料によって形成された基体(2)と、この基体(2)と導電的に接続されている第1のコンタクト素子(5)と第2のコンタクト素子(6)とを有している。さらに前記基体(2)は第1の主要面(2a)を有しており、該第1の主要面(2a)内には凹部(3)が設けられており、前記第1のコンタクト素子(5)は前記凹部(3)内で少なくとも部分的に前記基体(2)と導電的に接続されており、前記基体(2)は、第2の主要面(2b)を有しており、該第2の主要面(2b)は前記第1の主要面(2a)と対向的に設けられており、前記第2のコンタクト要素(6)は第2の主要面(2b)に少なくとも部分的に前記基体(2)と導電的に接続されている。

請求項（抜粋）：

電気的抵抗素子(1)であって、 半導体材料によって形成されている基体(2)と、 前記基体(2)と導電的に接続されている第1のコンタクト要素(5)と、 前記基体(2)と導電的に接続されている第2のコンタクト要素(6)とを備え、 前記基体(2)は、第1の主要面(2a)を有しており、該第1の主要面(2a)内には凹部(3)が設けられており、 前記第1のコンタクト要素(5)は、前記凹部(3)内で少なくとも部分的に前記基体(2)と導電的に接続されており、 前記基体(2)は、第2の主要面(2b)を有しており、該第2の主要面(2b)は前記第1の主要面(2a)に対向的に設けられており、 前記第2のコンタクト要素(6)は、前記第2の主要面(2b)において少なくとも部分的に前記基体(2)と導電的に接続されていることを特徴とする電気的抵抗素子。

IPC (3件)：

H01C 7/02 ,  H01L 33/00 ,  H01L 33/62

FI (4件)：

H01C7/02 ,  H01L33/00 J ,  H01L33/00 440 ,  H01L33/00 L

Fターム (14件)：

5E034AA07 ,  5E034AB08 ,  5E034AC20 ,  5E034DA02 ,  5E034DB01 ,  5E034DB20 ,  5E034DC01 ,  5E034DD03 ,  5F141AA11 ,  5F141BB22 ,  5F141FF11 ,  5F142AA25 ,  5F142DB60 ,  5F142EA31