特許
J-GLOBAL ID:201303031357627789
不飽和炭化水素の製造方法および当該方法に使用される脱水素用触媒
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人SSINPAT
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2011068098
公開番号(公開出願番号):WO2012-020743
出願日: 2011年08月09日
公開日(公表日): 2012年02月16日
要約:
[課題]より触媒寿命の長く安全な触媒を使用して、炭化水素を脱水素して、該炭化水素に対応する不飽和炭化水素を製造する方法を提供すること。[解決手段]ボロシリケートからホウ素原子の少なくとも一部を除去して得られるシリケートに、亜鉛及び第VIIIA族金属を担持させて得られる触媒Aと、炭化水素とを接触させて該炭化水素を脱水素する工程を有することを特徴とする、前記炭化水素に対応する不飽和炭化水素の製造方法。
請求項(抜粋):
ボロシリケートからホウ素原子の少なくとも一部を除去して得られるシリケートに、亜鉛及び第VIIIA族金属を担持させて得られる触媒Aと、炭化水素とを接触させて該炭化水素を脱水素する工程を有することを特徴とする、前記炭化水素に対応する不飽和炭化水素の製造方法。
IPC (5件):
C07C 5/333
, C07C 11/08
, C07C 11/09
, C07C 11/167
, B01J 29/86
FI (5件):
C07C5/333
, C07C11/08
, C07C11/09
, C07C11/167
, B01J29/86 Z
Fターム (40件):
4G169AA03
, 4G169AA08
, 4G169BA07A
, 4G169BA07B
, 4G169BC35A
, 4G169BC35B
, 4G169BC75A
, 4G169BC75B
, 4G169BD03A
, 4G169BD03B
, 4G169CB20
, 4G169CB63
, 4G169DA06
, 4G169EA02X
, 4G169FA01
, 4G169FA02
, 4G169FB14
, 4G169FB17
, 4G169FB19
, 4G169FB30
, 4G169ZA42A
, 4G169ZA42B
, 4G169ZD04
, 4G169ZD06
, 4G169ZF05A
, 4G169ZF05B
, 4H006AA02
, 4H006AC12
, 4H006BA07
, 4H006BA26
, 4H006BA31
, 4H006BA33
, 4H006BA71
, 4H006BB31
, 4H006BC10
, 4H006BC11
, 4H006BC32
, 4H006DA12
, 4H039CA20
, 4H039CC10
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