特許

J-GLOBAL ID：201303031966330717

GASB充填スクッテルダイト複合材料、およびその製造方法

発明者： チェン,リードン ,  チェン,シーホン ,  ハァ,リン ,  ホアン,シアンヤン ,  シォン,ヂェン ,  ヂャン,ウェンチン
出願人/特許権者： コーニング インコーポレイテッド ,  シャンハイ インスティテュート オブ セラミクス チャイニーズ アカデミー オブ サイエンシーズ
代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-532196
公開番号（公開出願番号）：特表2013-506312
出願日： 2010年09月23日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：

複合材料は、式(I)IyCo4Sb12(式中、Iは、Yb、Eu、Ce、La、Nd、BaおよびSrの少なくとも1つを表し、0.05≦y<1)の充填スクッテルダイトマトリックスと;充填スクッテルダイトマトリックス内にGaSb粒子とを含んでなり、この複合材料は、0.05〜5モル%のGaSb粒子を含んでなる。従来の材料と比較して、この複合材料は、ゼーベック係数の実質的増加、全体的な熱伝導率のわずかな減少、低温端から高温端までの全温度帯にわたる熱電性能指数の実質的な増加、ならびに熱電効率の著しい向上を示す。

請求項（抜粋）：

式(I) IyCo4Sb12 (I) (式中、 Iは、Yb、Eu、Ce、La、Nd、BaおよびSrの少なくとも1つを表し、 0.05≦y<1) の充填スクッテルダイトマトリックスと、 前記充填スクッテルダイトマトリックス内のGaSb粒子と、 を含んでなる複合材料であって、0.05〜5モル%のGaSb粒子を含んでなることを特徴とする複合材料。

IPC (2件)：

H01L 35/18 ,  H01L 35/34

FI (2件)：

H01L35/18 ,  H01L35/34