特許
J-GLOBAL ID：201303032002614488
単結晶基板及び単結晶基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-251584
公開番号（公開出願番号）：特開2013-107778
出願日： 2011年11月17日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：
【課題】 結晶基板の利用率の低下を抑制しつつ、単結晶基板の特徴を目視で判別可能な単結晶基板、及び、その単結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】 主面10を有する単結晶基板1Aであって、主面10には、垂直方向zに凹み、垂直方向zから視て、直線状に延びる少なくとも1つ以上の直線凹部50が設けられ、少なくとも1つ以上の直線凹部50に含まれる第1直線凹部50aの延在方向e1は、単結晶基板1Aの結晶方位a3と一致する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主面を有する単結晶基板であって、
前記主面には、前記主面に垂直な垂直方向に凹み、前記垂直方向から視て、直線状に延びる少なくとも1つ以上の直線凹部が設けられ、
前記少なくとも1つ以上の直線凹部に含まれる一の直線凹部の延在方向は、前記単結晶基板の所定の結晶方位と一致することを特徴とする単結晶基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
4G077AA03
, 4G077AB02
, 4G077BE08
, 4G077DA01
, 4G077ED05
, 4G077EE10
, 4G077SA04
, 4G077TA04
, 4G077TK04
, 4G077TK06
