特許
J-GLOBAL ID：201303032971050826

半導体装置及びその製造方法

発明者：
佐野 聡明

佐野 聡明 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-017723
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157498
出願日： 2012年01月31日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：
【課題】寄生容量の増大を抑止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置100は、素子分離領域110に囲まれた活性領域112〜114を有する半導体基板と、半導体基板上で第1の方向に延在し、前記第1の方向と直交する第2の方向に所定間隔で並列に配置された複数の延在配線層121〜127と、延在配線層123を、活性領域113上においてトランジスタのゲート電極を構成するゲート配線と、素子分離領域110上においてゲート電極を構成しないダミー配線とに離間させる開口パターン131と、を備えるものである。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
素子分離領域に囲まれた活性領域を有する半導体基板と、 前記半導体基板上で第1の方向に延在し、前記第1の方向と直交する第2の方向に所定間隔で並列に配置された複数の延在配線層と、 前記複数の延在配線層のいずれかを、前記活性領域上においてトランジスタのゲート電極を構成するゲート配線と、前記素子分離領域上において前記トランジスタのゲート電極を構成しないダミー配線とに離間させる離間領域と、 を備える半導体装置。
IPC (16件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/027
FI (10件)：
H01L21/88 S ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 681F ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 102C ,  H01L21/82 W ,  H01L21/30 514A
Fターム (70件)：
5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033MM08 ,  5F033QQ08 ,  5F033UU01 ,  5F033VV01 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F033XX25 ,  5F048AB01 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F064BB13 ,  5F064BB14 ,  5F064BB15 ,  5F064BB16 ,  5F064BB23 ,  5F064BB26 ,  5F064CC12 ,  5F064DD05 ,  5F064DD09 ,  5F064EE05 ,  5F064EE08 ,  5F064EE27 ,  5F064EE43 ,  5F064EE47 ,  5F064EE51 ,  5F064GG01 ,  5F064GG03 ,  5F064GG07 ,  5F083AD00 ,  5F083BS00 ,  5F083EP00 ,  5F083ER22 ,  5F083GA03 ,  5F083JA03 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083LA28 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA28 ,  5F101BD24 ,  5F101BD35 ,  5F101BE07 ,  5F101BF08 ,  5F146AA13
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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