特許

J-GLOBAL ID：201303033234512157

半導体装置

発明者： 加藤 哲也 ,  坪井 良樹
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 加藤 和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-094360
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222870
出願日： 2012年04月18日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：

【課題】セラミック基板に形成された金属層に切り起こし法によってフィンが形成されてなる放熱モジュールを含む半導体装置で、そのフィンを覆う冷媒流路の形成用のケースを取り付けるためのケース取り付け部位を有するものを、簡易、合理的に得る。【解決手段】ケース取り付け部位66が、セラミック基板10におけるヒートシンク21の接合面と反対側の面(表面14)に、その周囲に沿って重なる部位を有すると共に該基板10の外周端及びヒートシンク21の外周端よりも外方に突出する幅部位を有するフレーム61によって形成されるようにした。フレーム61は、その内周に沿う部位を、セラミック基板10における表面14の周囲に沿わせて配置されると共に、少なくとも該内周に沿う部位において形成された樹脂70によってセラミック基板10に固定した。このフレーム61における前記突出する幅部位にて、ケース取り付け部位66を形成した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

セラミック基板の裏面にフィン付きのヒートシンクが接合され、該セラミック基板の表面に半導体素子が搭載されてなる半導体装置であって、前記フィンはセラミック基板に接合又は形成された金属層において切り起こし法によって形成されてなるものであり、しかも、該フィンを覆う形で冷媒流路形成体を取り付けるための取り付け部位、又は該フィンが覆われる形で冷媒流路形成体に取り付けるための取り付け部位を有してなる半導体装置において、 該取り付け部位が、前記セラミック基板の表面に、平面視、その周囲に沿って重なる部位を有すると共に該セラミック基板の外周端及び前記ヒートシンクの外周端よりも外方に突出する幅部位を有するフレームによって形成されるように、該フレームが、その内周に沿う部位を、前記セラミック基板の表面の周囲に沿わせて配置されると共に、少なくとも該内周に沿う部位において形成された樹脂によって前記セラミック基板に固定され、 該フレームにおける前記突出する幅部位が前記取り付け部位を形成していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/473 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/28 ,  H05K 7/20

FI (4件)：

H01L23/46 Z ,  H01L23/36 Z ,  H01L23/28 J ,  H05K7/20 B

Fターム (22件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DA01 ,  4M109DB02 ,  4M109GA05 ,  5E322AA01 ,  5E322AA03 ,  5E322AB01 ,  5F136BA08 ,  5F136BB04 ,  5F136CB01 ,  5F136DA08 ,  5F136DA27 ,  5F136EA04 ,  5F136FA01 ,  5F136FA02 ,  5F136FA14 ,  5F136FA51 ,  5F136GA02 ,  5F136GA18 ,  5F136GA35