特許

J-GLOBAL ID：201303033577392807

成膜用マスク、蒸着装置、ウェーハ、圧電デバイス、および電子機器

発明者： 唐木 俊彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-026982
公開番号（公開出願番号）：特開2013-163838
出願日： 2012年02月10日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：

【課題】蒸着(イオンプレーティングを含む)による成膜工法において金属パターンの膜厚のムラを抑制し、かつ熱による反りを抑える機械的強度を維持することのできる成膜用マスクを提供することを目的とする。【解決手段】マスク基板12と、基点の周囲に配置されていて、マスク基板12を貫通している孔であり、マスク基板12の一方の面12a側の開口部の面積が他方の面12b側の開口部の面積よりも大きく、かつ前記孔の側壁が基点貫通孔14に対し反対側を向く側壁22以外の側壁20が垂直である複数の他の貫通孔18(18a〜18c)を備えたことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

マスク基板と、 基点の周囲に配置されていて、前記マスク基板を貫通している孔であり、前記マスク基板の一方の面側の開口部の面積が他方の面側の開口部の面積よりも大きく、かつ前記孔の側壁が前記基点に対し反対側を向く側壁以外の側壁が垂直である複数の貫通孔と、 を備えていることを特徴とする成膜用マスク。

IPC (5件)：

C23C 14/04 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  H03H 3/02 ,  H03H 3/04

FI (7件)：

C23C14/04 A ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 L ,  H01L41/08 C ,  H03H3/02 A ,  H03H3/02 C ,  H03H3/04 Z

Fターム (20件)：

4K029AA24 ,  4K029BA01 ,  4K029BB04 ,  4K029CA01 ,  4K029HA03 ,  4K029JA02 ,  5J108AA02 ,  5J108AA04 ,  5J108CC04 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108EE13 ,  5J108EE18 ,  5J108FF11 ,  5J108GG03 ,  5J108KK02 ,  5J108MM14 ,  5J108NA02 ,  5J108NB02