特許
J-GLOBAL ID:201303033742749170

不揮発性メモリ素子を含む多値論理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-245050
公開番号(公開出願番号):特開2013-105518
出願日: 2012年11月07日
公開日(公表日): 2013年05月30日
要約:
【課題】不揮発性メモリ素子を含む多値論理装置を提供する。【解決手段】信頼性が改善された多値論理装置に係り、マルチレベル信号を、複数の部分信号に変換するように構成された変換ユニット、及び複数の部分信号をそれぞれ保存する複数の不揮発性メモリ素子を含み、不揮発性メモリ素子それぞれに保存された複数の部分信号それぞれのビット数は、マルチレベル信号のビット数より少ないことを特徴とする多値論理装置である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
マルチレベル信号を、複数の部分信号に変換するように構成された変換ユニットと、 前記複数の部分信号をそれぞれ保存する複数の不揮発性メモリ素子と、を含み、 前記複数の不揮発性メモリ素子それぞれに保存された前記複数の部分信号それぞれのビット数は、前記マルチレベル信号のビット数より少ないことを特徴とする多値論理装置。
IPC (2件):
G11C 16/02 ,  G11C 16/06
FI (3件):
G11C17/00 641 ,  G11C17/00 636A ,  G11C17/00 636B
Fターム (7件):
5B125BA01 ,  5B125BA19 ,  5B125DA01 ,  5B125DB01 ,  5B125DE15 ,  5B125EF04 ,  5B125FA02
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2009-120531   出願人:シャープ株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2008-218173   出願人:株式会社ルネサステクノロジ
  • 半導体メモリー装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2008-224688   出願人:凸版印刷株式会社
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審査官引用 (4件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2009-120531   出願人:シャープ株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2008-218173   出願人:株式会社ルネサステクノロジ
  • 半導体メモリー装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2008-224688   出願人:凸版印刷株式会社
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