特許

J-GLOBAL ID：201303034087314960

放射線検出装置

発明者： ▲徳▼弘 修
出願人/特許権者： コニカミノルタ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人光陽国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-058125
公開番号（公開出願番号）：特開2013-190365
出願日： 2012年03月15日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：

【課題】簡易な構成、且つ、簡易な処理により照射された放射線に係るデータの取得を的確に行うことが可能な放射線検出装置を提供する。【解決手段】放射線の照射量に応じた電荷対を生成する半導体検出素子と、一端が半導体検出素子に接続された抵抗スイッチと、を有する放射線検出部と、抵抗スイッチの端部に所定の電圧を供給する電圧供給手段と、電圧供給手段による電圧供給を制御する制御手段と、を備え、制御手段は、抵抗スイッチを低抵抗状態に変化させる第1基準電圧を供給させ、放射線検出部は、外部からの放射線の入射により半導体検出素子で電荷対が生成されると、電荷対の生成に応じ抵抗スイッチに印加される電圧が抵抗スイッチを高抵抗状態に変化させる第2基準電圧となって抵抗状態が変化することで放射線の入射を検出して、半導体検出素子で生成された電荷対をこの半導体検出素子内に蓄積させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

放射線の照射量に応じた電荷対を生成する半導体検出素子と、当該半導体検出素子に一端が接続され、両端の電位差に応じて抵抗状態が変化する抵抗スイッチと、を有する放射線検出部と、 前記抵抗スイッチの端部に所定の電圧を供給する電圧供給手段と、 前記電圧供給手段による電圧供給を制御する制御手段と、 を備え、 前記制御手段は、前記抵抗スイッチに対し、当該抵抗スイッチを低抵抗状態に変化させる第1基準電圧が印加されるように前記電圧供給手段に電圧を供給させ、 前記放射線検出部は、前記抵抗スイッチが低抵抗状態の場合に、外部からの放射線の入射により前記半導体検出素子で電荷対が生成されると、当該電荷対の生成に応じて前記抵抗スイッチに印加される電圧が当該抵抗スイッチを高抵抗状態に変化させる第2基準電圧となって抵抗状態が変化することで放射線の入射を検出して、前記半導体検出素子で生成された電荷対を当該半導体検出素子内に蓄積させる ことを特徴とする放射線検出装置。

IPC (5件)：

G01T 7/00 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/378 ,  H01L 27/144 ,  H01L 27/146

FI (5件)：

G01T7/00 A ,  H04N5/32 ,  H04N5/335 780 ,  H01L27/14 K ,  H01L27/14 C

Fターム (31件)：

2G088GG19 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088KK06 ,  2G088LL11 ,  2G188CC22 ,  2G188CC28 ,  2G188DD05 ,  2G188EE07 ,  2G188FF11 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CA09 ,  4M118DB09 ,  4M118DD09 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB17 ,  4M118GA10 ,  5C024CX32 ,  5C024CX51 ,  5C024GX03 ,  5C024GX04 ,  5C024GX09 ,  5C024GY31 ,  5C024HX23 ,  5C024HX29 ,  5C024HX35 ,  5C024HX40