一体化された過渡過電圧保護を有するボンドパッド

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-548064
公開番号（公開出願番号）：特表2013-517617
出願日： 2011年01月03日
公開日（公表日）： 2013年05月16日
要約：

過電圧クランプ構造および過電圧クランプ構造を形成する方法が提供される。いくつかの実施形態において、過電圧クランプ構造は、基板(708)と、基板の上に配置されるボンドパッド(700)と、ボンドパッドの下の基板に形成されるプレーナー高電圧MOSデバイス(100c)とを含む。高電圧MOSデバイス(100c)は、基板に形成される井戸(100、115)と、井戸に形成されるドープされた浅い領域(130、135、140、145)と、井戸の上に配置されるゲート(160)とを含み得る。いくつかの実施形態において、クランプ構造は、第1のスナップバック後にソフトな故障の漏れを示さず、デバイスエリアを有意に減少させながら、ESDロバストネスを大幅に延ばす。

請求項（抜粋）：

ボンドパッド構造を備えている装置であって、該ポンドパッド構造は、基板であって、高側面領域と低側面領域とを含む複数のプレーナー過電圧クランプデバイスを備え、各デバイスは、第1の方向に、該デバイスの幅に沿って伸長される、基板と、該基板の上に配置された第1のパターン化金属層であって、該第1のパターン化金属層は、(i)該第1の方向に伸長され、該高側面領域と整列させられ、該高側面領域に電気的に接続された少なくとも1つの伝導性の島と、(ii)該少なくとも1つの伝導性の島を囲み、該低側面領域に電気的に接続された伝導性のエリア面積とを備えている、第1のパターン化金属層と、第1のバスであって、該第1のバスは、該第1の方向に対して実質的に垂直に配向され、該少なくとも1つの伝導性の島を囲む該伝導性エリア面積の少なくとも一部分を含む、第1のバスとを備え、該プレーナー過電圧クランプデバイスは、過電圧条件の下で該少なくとも1つの伝導性の島から該第1のバスに電流を分流するように構成される、装置。

IPC (8件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 27/06 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L27/04 H , H01L21/88 T , H01L27/06 311C , H01L29/78 301D

Fターム (68件)：

5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033UU05 , 5F033VV04 , 5F033VV05 , 5F033VV06 , 5F033VV07 , 5F033XX00 , 5F033XX34 , 5F038BE07 , 5F038BH05 , 5F038BH06 , 5F038BH09 , 5F038BH10 , 5F038BH13 , 5F038BH15 , 5F038CA02 , 5F038CA06 , 5F038CA10 , 5F038CD02 , 5F038EZ13 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F048AC03 , 5F048AC06 , 5F048BA16 , 5F048BB02 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB11 , 5F048BC02 , 5F048BC03 , 5F048BC07 , 5F048BE03 , 5F048BE05 , 5F048BE06 , 5F048BE09 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG12 , 5F048BG13 , 5F048BH05 , 5F048CC01 , 5F048CC08 , 5F048CC10 , 5F048CC19 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AB07 , 5F140AC21 , 5F140AC33 , 5F140BA01 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH45 , 5F140BJ26 , 5F140CA10 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140DA06 , 5F140DA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-158331 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-239823 出願人：パナソニック株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-050776 出願人：株式会社東芝

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