特許
J-GLOBAL ID:201303036040659946
基板および半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 高柴 忠夫
, 増井 裕士
, 鈴木 史朗
, 橋本 宏之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-081930
公開番号(公開出願番号):特開2013-211475
出願日: 2012年03月30日
公開日(公表日): 2013年10月10日
要約:
【課題】形成するダミー電極の数を抑えつつ、基材等が受けるダメージを抑えることができる基板を提供する。【解決手段】所定の厚さを有する基材と、基材に設けられた配線と、基材の厚さ方向の一方の面に設けられ、配線と接続される複数の回路電極20aを有する電極部20と、電極部と同一面に設けられ、配線と接続されない複数のダミー電極21aを有するダミー領域21とを備え、ダミー領域の少なくとも一部において、ダミー電極は、複数のダミー電極が所定のダミーピッチA1で配置され、ダミー電極間距離の最大値が所定値以内とされたダミー電極集合体22として配置されていることを特徴とする。【選択図】図3
請求項(抜粋):
所定の厚さを有する基材と、
前記基材に設けられた配線と、
前記基材の厚さ方向の一方の面に設けられ、前記配線と接続される複数の回路電極を有する電極部と、
前記電極部と同一面に設けられ、前記配線と接続されない複数のダミー電極を有するダミー領域と、
を備え、
前記ダミー領域の少なくとも一部において、前記ダミー電極は、複数のダミー電極が所定のダミーピッチで配置され、ダミー電極間距離の最大値が所定値以内とされたダミー電極集合体として配置されている
ことを特徴とする基板。
IPC (7件):
H01L 23/522
, H01L 21/768
, H01L 21/320
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/60
FI (4件):
H01L21/88 T
, H01L25/08 B
, H01L21/88 Z
, H01L21/60 311Q
Fターム (18件):
5F033GG04
, 5F033HH07
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033MM30
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033UU03
, 5F033VV01
, 5F033VV04
, 5F033VV05
, 5F033VV07
, 5F033XX19
, 5F044KK05
, 5F044KK17
, 5F044LL11
, 5F044RR18
, 5F044RR19
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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