特許

J-GLOBAL ID：201303036989743964

半導体発光素子

発明者： 磯崎 瑛宏 ,  井上 彰 ,  山田 篤志 ,  横川 俊哉
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (5件)： 奥田 誠司 ,  喜多 修市 ,  岡部 英隆 ,  三宅 章子 ,  山口 美里
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2011004465
公開番号（公開出願番号）：WO2012-017685
出願日： 2011年08月05日
公開日（公表日）： 2012年02月09日
要約：

本発明の半導体発光素子は、n型窒化物半導体層21と、p型窒化物半導体層23と、m面窒化物半導体層を含み、n型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層に挟まれた活性層領域22と、n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn型電極30と、p型窒化物半導体層に電気的に接続されたp型電極40と、活性層領域で発生する偏光光を外部へ取出す出射面と、出射面に設けられたストライプ構造50であって、m面窒化物半導体層のa軸方向と略平行に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造50とを備える。

請求項（抜粋）：

n型窒化物半導体層と、 p型窒化物半導体層と、 m面窒化物半導体層を含み、前記n型窒化物半導体層および前記p型窒化物半導体層に挟まれた活性層領域と、 前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn型電極と、 前記p型窒化物半導体層に電気的に接続されたp型電極と、 前記活性層領域で発生する偏光光を外部へ取出す出射面と、 前記出射面に設けられたストライプ構造であって、前記m面窒化物半導体層のa軸方向と略平行に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造と、 を備えた半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/22 ,  H01L 33/32

FI (2件)：

H01L33/00 172 ,  H01L33/00 186

Fターム (16件)：

5F041AA03 ,  5F041AA06 ,  5F041AA07 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041FF11 ,  5F141AA03 ,  5F141AA06 ,  5F141AA07 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141FF11