特許

J-GLOBAL ID：201303037001552715

半導体薄膜およびその製造方法

発明者： 東 清一郎 ,  林 将平
出願人/特許権者： 国立大学法人広島大学
代理人 (4件)： 上羽 秀敏 ,  松山 隆夫 ,  坂根 剛 ,  川上 桂子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-059800
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197140
出願日： 2012年03月16日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】結晶粒界がTFTのチャネル領域に混入するのを防止可能で且つ平坦な半導体薄膜を提供する。【解決手段】半導体薄膜10は、絶縁基板上に形成された結晶シリコン薄膜2を備える。結晶シリコン薄膜2は、複数の結晶粒21を含む。複数の結晶粒21の各々は、短冊形の平面形状を有する。そして、複数の結晶粒21は、短冊形の長辺方向が同じになるように配置される。その結果、結晶シリコン薄膜2をTFTのチャネル層へ適用した場合、結晶粒界が存在しないチャネル層を形成できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、 絶縁基板上に形成され、複数の結晶粒からなる結晶シリコン薄膜とを備え、 前記複数の結晶粒の各々は、短冊形の平面形状を有し、 前記複数の結晶粒は、前記短冊形の長辺方向が同じ方向になるように配置されている、半導体薄膜。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H05H 1/32 ,  H05H 1/48

FI (4件)：

H01L21/20 ,  H01L21/324 P ,  H05H1/32 ,  H05H1/48

Fターム (15件)：

5F152AA02 ,  5F152AA06 ,  5F152AA13 ,  5F152BB02 ,  5F152CC09 ,  5F152CE05 ,  5F152CE14 ,  5F152CE24 ,  5F152CE43 ,  5F152EE16 ,  5F152FF20 ,  5F152FF28 ,  5F152FF29 ,  5F152FH02 ,  5F152FH15