特許
J-GLOBAL ID：201303037152598792

スポットサイズ変換素子の製造方法およびスポットサイズ変換素子付き光導波路

発明者：
倉橋 輝雄

倉橋 輝雄 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 伊東 忠彦 ,  山口 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-074943
公開番号（公開出願番号）：特開2013-205642
出願日： 2012年03月28日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：
【課題】 シリコン細線導波路へのエッチングダメージを回避したスポットサイズ変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】 スポットサイズ変換素子の製造方法は、基板上の第1クラッド層上に、第1のコア径を有する第1コアを形成し、スポットサイズ変換領域を除き前記第1コア上にシリコン酸化膜を介して金属シリサイドを形成し、前記基板の全面に前記第1クラッド層よりも屈折率の大きな第2コア材料を堆積し、前記金属シリサイドをエッチングストッパとして、前記第2コア材料をエッチング加工し、前記スポットサイズ変換領域に、前記第1コアと結合し、かつ前記第1のコア径よりも大きな第2のコア径を有する第2コアを形成する。【選択図】図5E
請求項（抜粋）：
基板上の第1クラッド層上に、第1のコア径を有する第1コアを形成し、 スポットサイズ変換領域を除き、前記第1コア上にシリコン酸化膜を介して金属シリサイドを形成し、 前記基板の全面に、前記第1クラッド層よりも屈折率の大きな第2コア材料を堆積し、 前記金属シリサイドをエッチングストッパとして、前記第2コア材料をエッチング加工し、前記スポットサイズ変換領域に、前記第1コアと結合し、かつ前記第1のコア径よりも大きな第2のコア径を有する第2コアを形成し、 前記金属シリサイドを除去し、 前記金属シリサイドの除去後に、前記第1コア及び前記第2コアを覆う第2クラッド層を形成する ことを特徴とするスポットサイズ変換素子の製造方法。
IPC (2件)：
G02B 6/13 ,  G02B 6/122
FI (2件)：
G02B6/12 M ,  G02B6/12 A
Fターム (6件)：
2H147BB02 ,  2H147BB03 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13B ,  2H147EA13C ,  2H147FC01
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 光導波路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-168943   出願人：日本電気株式会社
  • 光導波路の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-098053   出願人：日本電信電話株式会社
  • 導波路型光源
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-084722   出願人：日本電信電話株式会社
審査官引用 (3件)
  • 光導波路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-168943   出願人：日本電気株式会社
  • 光導波路の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-098053   出願人：日本電信電話株式会社
  • 導波路型光源
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-084722   出願人：日本電信電話株式会社

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