特許

J-GLOBAL ID：201303037224570618

窒化物半導体積層体

発明者： 安藤 裕之 ,  古川 和彦 ,  鐘築 律夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (4件)： 山崎 宏 ,  田中 光雄 ,  仲倉 幸典 ,  磯江 悦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-066666
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197571
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】クラックの発生を抑制でき、光取り出し効率および内部量子効率に優れた発光素子の作製に好適に使用できる結晶性の優れた窒化物半導体積層体を提供する。【解決手段】この窒化物半導体積層体は、基板100の端1の位置からの離隔距離が1mmまでの領域である端領域10の窒化物半導体膜105の平均膜厚d1を、基板100の端1の位置からの離隔距離が5mmである離隔箇所11の窒化物半導体膜105の平均膜厚d2の80%以上にした。端領域10において窒化物半導体膜105は引っ張り応力に耐え、クラックの発生を防止できる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複数の凸部が表面に形成された基板と、 上記基板上に形成された窒化物半導体膜と を備え、 上記基板の端の位置から、上記基板の表面に沿った方向に上記基板の端の位置から予め定められた距離だけ離隔した位置までの端領域における応力を低減するための応力低減構造、または、上記端領域における応力に耐える強度を上記端領域に保持するための強度保持構造を備えたことを特徴とする窒化物半導体積層体。

IPC (3件)：

H01L 33/32 ,  H01L 33/22 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L33/00 186 ,  H01L33/00 172 ,  H01L21/205

Fターム (24件)：

5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045AF12 ,  5F045BB13 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045EB15 ,  5F141AA03 ,  5F141AA04 ,  5F141AA40 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CB15 ,  5F141CB36