フリップチップ・オン・リード半導体パッケージの方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小野新次郎 , 小林泰 , 竹内茂雄 , 山本修 , 佐久間滋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-107637
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219369
出願日： 2013年05月22日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：

【課題】ウェーハ・バンプ形成の必要を無くするダイ・リードフレーム接続を可能にする方法および装置を提供する。【解決手段】リードフレーム(102)からの突起部(104)上に導電性材料(106)を配置して第1の組立品を形成する工程と、突起部のまわりに非導電性マスク(109)を形成する工程と、第1の組立品上にダイ(110)を配置する工程であって、ダイが活性領域を有している工程と、を含む。さらに、接続がダイの活性領域から導電性材料(106)を通して突起部(104)まで延びるように第2の組立品を形成するように導電性材料をリフローさせる工程を含むことができる。半導体パッケージ(100)は、突起部(104)を有するリードフレーム(102)と、突起部(104)にリフローされた導電性材料(106)と、このリフローはんだ(106)によって突起部(104)に結合された活性領域を有するダイ(110)と、を含む。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

第1の組立品を形成するために、リードフレームからの突起部上に導電性材料を配置する工程と、前記突起部のまわりに非導電性マスクを形成する工程と、前記第1の組立品上にダイを配置する工程であって、前記ダイが活性領域を有する、ダイを配置する工程と、前記導電性材料をリフローさせる工程であって、前記ダイを持ち上げ、接続が前記ダイの活性領域から前記導電性材料を通して前記突起部まで延びるように、第2の組立品を形成する、リフローさせる工程と、第3の組立品を形成するために、前記ダイを材料で取り囲む工程と、を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 , H01L 23/50

FI (2件)：

H01L21/60 311Q , H01L23/50 L

Fターム (6件)：

5F044LL01 , 5F044LL05 , 5F067AA00 , 5F067BB04 , 5F067BB14 , 5F067BB15

引用特許：

審査官引用 (4件)

積層型ボトムリード半導体パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-119047 出願人：エルジーセミコンカンパニーリミテッド
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-041165 出願人：日本電気株式会社
特開昭52-063672

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