特許

J-GLOBAL ID：201303037273306217

不揮発性メモリおよび半導体装置

発明者： 和泉 康弘
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-048057
公開番号（公開出願番号）：特開2013-182655
出願日： 2012年03月05日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：

【課題】課題は、不揮発性メモリを有する半導体装置のテスト容易化計画を容易に実行することができる技術を提供することである。【解決手段】不揮発性メモリは、予め決められた特定の不揮発性メモリセル(SMC)を含む複数の不揮発性メモリセル(MC)と、特定の不揮発性メモリセルのための専用出力ピン(16)とを有する。特定の不揮発性メモリセルは、その読み出しの有無にかかわらず、記憶しているデータを専用出力ピンに出力する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複数の不揮発性メモリセルであって、当該複数の不揮発性メモリセルの中から予め決められた特定の不揮発性メモリセルを含む前記複数の不揮発性メモリセルと、 前記特定の不揮発性メモリセルのための専用出力ピンと を有し、 前記特定の不揮発性メモリセルは、 当該特定の不揮発性メモリセルからのデータの読み出しの有無にかかわらず、記憶しているデータを前記専用出力ピンに出力する 不揮発性メモリ。

IPC (3件)：

G11C 29/24 ,  G11C 16/06 ,  G01R 31/28

FI (3件)：

G11C29/00 673W ,  G11C17/00 636B ,  G01R31/28 B

Fターム (14件)：

2G132AA08 ,  2G132AB01 ,  2G132AD06 ,  2G132AK07 ,  5B125BA01 ,  5B125CA08 ,  5B125DE07 ,  5B125EA01 ,  5B125ED10 ,  5B125FA02 ,  5L106AA10 ,  5L106DD08 ,  5L106DD31 ,  5L106EE03