特許

J-GLOBAL ID：201303037595967529

処理チャンバにおいて気相成長法によって半導体ウエハの上に層を堆積させるための方法および装置

発明者： ゲオルク・ブレニンガー
出願人/特許権者： ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-208256
公開番号（公開出願番号）：特開2013-070058
出願日： 2012年09月21日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：

【課題】処理チャンバのカバーの表面の温度を慎重に制御したとしても起こり得る欠陥の発生に対する改善策を提供する。【解決手段】上方カバー2および下方カバー3を有する処理チャンバ1において気相成長法によって半導体ウエハ5の上に層を堆積する方法および装置が提供される。方法は、半導体ウエハの前面側の温度を測定するステップと、半導体ウエハを堆積温度に加熱するステップと、処理チャンバの上方カバーの温度を目標温度に制御するステップとを備え、上方カバーの温度は、上方カバーの外表面の中心において測定され、上方カバーの温度を制御する制御ループの制御変数の実際の値として使用され、方法はさらに、層を堆積するための処理ガスが処理チャンバを介して導入されるガス流量を設定するステップと、処理チャンバの上方カバーの温度を目標温度に制御する際に堆積温度に加熱された半導体ウエハの前面側に層を堆積するステップとを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

上方カバーと下方カバーとを有する処理チャンバにおいて気相成長法によって半導体ウエハの上に層を堆積する方法であって、該方法は、前記半導体ウエハの前面側の温度を測定するステップと、前記半導体ウエハを堆積温度に加熱するステップと、前記処理チャンバの前記上方カバーの温度を目標温度に制御するステップとを備え、前記上方カバーの温度は、前記上方カバーの外表面の中心において測定され、前記上方カバーの温度を制御するための制御ループにおける制御変数の実際の値として使用され、前記方法はさらに、前記処理チャンバを介して導入される、層を堆積させるための処理ガスのガス流量を設定するステップと、前記処理チャンバの前記上方カバーの温度を前記目標温度に制御する間に、前記堆積温度に加熱された前記半導体ウエハの前面側に層を堆積するステップとを備える、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/44

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C23C16/52 ,  C23C16/46 ,  C23C16/44 J

Fターム (23件)：

4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030KA24 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA01 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045EB06 ,  5F045EK12 ,  5F045EK14 ,  5F045EK27 ,  5F045GB05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• シャワーヘッド、薄膜製造装置及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-287762   出願人：株式会社アルバック