特許
J-GLOBAL ID：201303038051822035

半導体モジュールの製造方法及び半導体モジュールの製造装置

発明者：
澤田 研一

澤田 研一 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良 ,  戸津 洋介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-037185
公開番号（公開出願番号）：特開2013-172134
出願日： 2012年02月23日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：
【課題】半導体素子を有する回路基板とベースとの間の位置決め精度を向上させることができ、製造工程の期間を短縮することができ、製造歩留まりを向上させることができる半導体モジュールの製造方法及び半導体モジュールの製造装置を提供すること。【解決手段】半導体モジュールの製造方法は、支持基板と支持基板によって支持される半導体素子とを有する少なくとも1つの回路基板30の電気特性を検査する検査工程と、検査工程において良品と判断された少なくとも1つの回路基板をベース20に嵌め合わせる嵌め合わせ工程とを含む。ベース及び/又は支持基板が、少なくとも1つの回路基板をベースに嵌め合わせるための構造を有する。【選択図】図22
請求項（抜粋）：
支持基板と前記支持基板によって支持される半導体素子とを有する少なくとも1つの回路基板の電気特性を検査する検査工程と、 前記検査工程において良品と判断された前記少なくとも1つの回路基板をベースに嵌め合わせる嵌め合わせ工程と、 を含み、 前記ベース及び/又は前記支持基板が、前記少なくとも1つの回路基板を前記ベースに嵌め合わせるための構造を有する、半導体モジュールの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 25/00 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L25/00 A ,  H01L25/04 C
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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