特許

J-GLOBAL ID：201303038367054935

半導体装置及びその製造方法

発明者： 熊内 隆宏
出願人/特許権者： ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル
代理人 (3件)： 加藤 朝道 ,  内田 潔人 ,  青木 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-111439
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239566
出願日： 2012年05月15日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：

【課題】半導体技術の微細化により、プラグ間の接続を確保するために、パッドを設けたり、プラグの上面を大きくするという手法を採用することが困難になっている。【解決手段】 第1下穴を有する第1絶縁膜と、前記第1下穴の上部にリセスが生じるように前記第1下穴内に形成された第1コンタクトプラグと、前記リセスに通ずる第2下穴を有する第2絶縁膜と、前記リセス乃至前記第2下穴内に形成されるとともに前記第1コンタクトプラグと接続される第2コンタクトプラグと、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1下穴を有する第1絶縁膜と、 前記第1下穴の上部にリセスが生じるように前記第1下穴内に形成された第1コンタクトプラグと、 前記リセスに通ずる第2下穴を有する第2絶縁膜と、 前記リセス乃至前記第2下穴内に形成されるとともに前記第1コンタクトプラグと接続される第2コンタクトプラグと、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L27/10 621C ,  H01L27/10 671B

Fターム (19件)：

5F083AD04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083GA02 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA03 ,  5F083MA04 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR05 ,  5F083PR09 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40