特許
J-GLOBAL ID：201303038654722183

座標入力装置

発明者：
遠藤 みち子

遠藤 みち子 について

, 
有田 隆

有田 隆 について


出願人/特許権者：
富士通コンポーネント株式会社

富士通コンポーネント株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112698
公開番号（公開出願番号）：特開2001-159953
特許番号：特許第4722252号
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 座標空間上の所定の座標点を指示するための座標入力装置であって、 磁石と該磁石に対向して配置される複数の磁電変換素子とを備え、 該磁石が該磁電変換素子に対して傾斜することにより生じる該磁電変換素子の出力電圧変化に基づいて、該座標空間上にXY座標点を指示するXY座標点指示手段と、 該磁石と該磁電変換素子との距離が変化することにより生じる該磁電変換素子の出力電圧変化に基づいて、該座標空間上にZ座標点を指示するZ座標点指示手段とを有し、 前記磁石は手指により操作される操作部に保持されて、該操作部を直立させた状態において磁石の少なくとも一方の磁極中心から発生する磁界方向がほぼ垂直に維持され、 前記磁電変換素子は該磁石の下方にほぼ水平に配置された基板上に該磁界方向と基板との交点を中心としてほぼ対称位置に4個設けられるとともに、該磁界方向と該基板との該交点若しくは該交点の近傍にさらに1個設けられ、 前記XY座標点指示手段は該操作部を傾動することにより生じる該4個の磁電変換素子の出力電圧変化について該交点を挟んで対向配置される2つずつの該磁電変換素子の出力電圧変化の差分をそれぞれ検出することによって行い、 前記Z座標点指示手段は該操作部を押下することにより生じる該さらに1個設けられた磁電変換素子の出力電圧変化を検出することによって行い、 前記操作部を押下することにより生じるXY座標のずれの補正を、押下量と、該押下量に応じて変化する出力電圧と、の比の指数乗を補正係数に用いて行い、 前記4個の磁電変換素子および前記さらに1個設けられた磁電変換素子がホール素子であり、該ホール素子は、5V印加されていると、0.1Tの磁束密度により150mV出力するものであり、該ホール素子の感磁部は、前記基板の表面から0.3mm上方に位置し、該4個の磁電変換素子は、前記交点から2.5mmの位置に配置され、 前記磁石は、外径が7mm、厚さが3mmであり、残留磁束密度が375mTであり、 前記操作部が押下されていない状態での、前記基板と前記磁石の距離は4mmであり、 前記指数乗は1.3乗であることを特徴とする座標入力装置。
IPC (4件)：
G06F 3/033 ( 200 6.01) ,  G01B 7/00 ( 200 6.01) ,  G01B 7/30 ( 200 6.01) ,  G01D 5/12 ( 200 6.01)
FI (5件)：
G06F 3/033 330 F ,  G01B 7/00 R ,  G01B 7/00 N ,  G01B 7/30 101 B ,  G01D 5/12 B
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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