特許
J-GLOBAL ID：201303039108007682
薄膜形成装置、薄膜形成方法および薄膜測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-111678
公開番号（公開出願番号）：特開2013-237900
出願日： 2012年05月15日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：
【課題】低コストによる膜厚測定と、高精度な膜厚制御とを可能とする薄膜形成装置、薄膜形成方法および薄膜測定方法を得ること。【解決手段】薄膜形成の対象とする被処理基板2が載置されているトレイ1に対し、被処理基板2が載置されている載置領域と、載置領域以外の領域とについて成膜処理を実施する成膜チャンバー6と、成膜処理を経て成膜チャンバー6から搬出されたトレイ1が搬送される搬送ルートのいずれかの位置に設置され、成膜処理によって形成された薄膜の膜厚を測定する膜厚測定部4と、を有し、膜厚測定部4は、トレイ1のうち載置領域以外の領域に設けられている測定対象部3に形成されている薄膜を、膜厚の測定の対象とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
薄膜形成の対象とする被処理基板が載置されているトレイに対し、前記被処理基板が載置されている載置領域と、前記載置領域以外の領域とについて成膜処理を実施する成膜チャンバーと、
前記成膜処理を経て前記成膜チャンバーから搬出された前記トレイが搬送される搬送ルートのいずれかの位置に設置され、前記成膜処理によって形成された薄膜の膜厚を測定する膜厚測定部と、を有し、
前記膜厚測定部は、前記トレイのうち前記載置領域以外の領域に設けられている測定対象部に形成されている薄膜を、前記膜厚の測定の対象とすることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
4K029DA03
, 4K029EA01
, 4K029JA01
, 4K030GA02
, 4K030HA14
, 4K030KA39
