特許

J-GLOBAL ID：201303039135275087

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 小島 一哲
出願人/特許権者： オリンパス株式会社
代理人 (1件)： 伊藤 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-176265
公開番号（公開出願番号）：特開2013-041885
出願日： 2011年08月11日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：

【課題】半導体チップ10と配線板20との接合信頼性の高い撮像装置1を提供する。【解決手段】実装面12に複数の第1のバンプ16を有する半導体チップ10と、それぞれの第1のバンプ16と接合された第2のバンプ26を有する配線板20と、を具備し、第1のバンプ16の接合面16Sと第2のバンプ26の接合面26Sとが、同じ面積の同じ回転対称多角形である長方形であり、第1のバンプ16と第2のバンプ26の実接合部30Sの面積が、それぞれの接合面16S、26Sの面積よりも小さい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

実装面に複数の第1のバンプを有する半導体チップと、 それぞれの前記第1のバンプと接合された第2のバンプを有する配線板と、を具備し、 前記第1のバンプの接合面と前記第2のバンプの接合面とが、同じ面積の同じ回転対称多角形であり、 前記第1のバンプと前記第2のバンプとの実接合部の面積が、前記接合面の面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  H01L 23/12 ,  H01L 27/14

FI (4件)：

H01L21/60 311S ,  H01L23/12 501C ,  H01L21/92 602G ,  H01L27/14 D

Fターム (10件)：

4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118HA02 ,  4M118HA24 ,  4M118HA25 ,  4M118HA29 ,  4M118HA31 ,  5F044KK17 ,  5F044LL15 ,  5F044QQ02