特許

J-GLOBAL ID：201303039597779463

半導体の分離方法

発明者： 山下 征士 ,  菅 義訓
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  河野上 正晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-112298
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239621
出願日： 2012年05月16日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：

【課題】研削スラリーから効率よく半導体成分を分離することができる半導体成分の分離方法を提供する。【解決手段】半導体の研削スラリーから半導体成分を分離する方法であって、砥石を用いて半導体基板を研削して、研削された半導体粒子及び砥石から発生した砥粒を含む研削スラリーを得る工程であって、半導体粒子のD99が砥粒のD30よりも小さい研削スラリーを得る工程、及び半導体粒子のD99が砥粒のD30よりも小さい研削スラリーを、半導体粒子のD99よりも大きな孔径を有し且つ砥粒のD30よりも小さな孔径を有するフィルタに通して、研削スラリーを分級する工程、を含む、半導体成分の分離方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体の研削スラリーから半導体成分を分離する方法であって、 砥石を用いて半導体基板を研削して、研削された半導体粒子及び前記砥石から発生した砥粒を含む研削スラリーを得る工程であって、前記半導体粒子のD99が前記砥粒のD30よりも小さい研削スラリーを得る工程、及び 前記半導体粒子のD99が前記砥粒のD30よりも小さい研削スラリーを、前記半導体粒子のD99よりも大きな孔径を有し且つ前記砥粒のD30よりも小さな孔径を有するフィルタに通して、前記研削スラリーを分級する工程、 を含む、半導体成分の分離方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B24B 57/00

FI (4件)：

H01L21/304 622E ,  B24B57/00 ,  H01L21/304 631 ,  H01L21/304 622W

Fターム (9件)：

3C047GG17 ,  5F057AA43 ,  5F057BA11 ,  5F057BB02 ,  5F057CA14 ,  5F057DA11 ,  5F057EB16 ,  5F057EB17 ,  5F057FA44