特許
J-GLOBAL ID:201303039668007106

グラフェン、電極及び蓄電装置の作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-210508
公開番号(公開出願番号):特開2013-082606
出願日: 2012年09月25日
公開日(公表日): 2013年05月09日
要約:
【課題】酸化グラフェンから生成されるグラフェンにおいて、導電性が向上したグラフェン及びその作製方法を提供する。また、充放電容量を向上させることができ、信頼性及び耐久性を含め、電気特性の良好な蓄電装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】第1の導電層上に酸化グラフェンを含む層を形成し、作用極である第1の導電層、及び、対極である第2の導電層を浸漬した電解液中で、酸化グラフェンの還元反応が生じる電位を第1の導電層の電位に供給して、グラフェンを生成する方法である。また、少なくとも正極、負極、電解液及びセパレータを有する蓄電装置において、正極及び負極の一方又は双方は、上記作製方法を用いてグラフェンを生成する蓄電装置の作製方法である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の導電層に酸化グラフェンを含む層を形成し、 前記第1の導電層、及び前記第1の導電層の対極である第2の導電層を浸漬した電解液中で、 前記酸化グラフェンの還元反応が生じる電位を前記第1の導電層に供給し、前記酸化グラフェンを還元してグラフェンを生成することを特徴とするグラフェンの作製方法。
IPC (9件):
C01B 31/02 ,  H01M 4/13 ,  H01M 4/36 ,  H01M 4/62 ,  H01M 10/052 ,  H01M 10/056 ,  H01M 10/058 ,  H01M 4/139 ,  H01G 11/22
FI (9件):
C01B31/02 101Z ,  H01M4/13 ,  H01M4/36 A ,  H01M4/62 Z ,  H01M10/052 ,  H01M10/0566 ,  H01M10/058 ,  H01M4/139 ,  H01G9/00 301A
Fターム (61件):
4G146AA01 ,  4G146AA15 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC27B ,  4G146AD22 ,  4G146AD23 ,  4G146AD25 ,  4G146AD28 ,  4G146BA02 ,  4G146BB12 ,  4G146BC18 ,  4G146BC50 ,  4G146CB12 ,  4G146CB14 ,  4G146CB32 ,  4G146CB34 ,  4G146CB37 ,  4G146CB40 ,  5E078AB06 ,  5E078BA04 ,  5E078BA12 ,  5E078BA26 ,  5E078BB33 ,  5E078FA02 ,  5E078FA13 ,  5E078ZA06 ,  5H029AJ02 ,  5H029AJ03 ,  5H029AK01 ,  5H029AK03 ,  5H029AL11 ,  5H029AL12 ,  5H029AM01 ,  5H029AM02 ,  5H029AM03 ,  5H029AM06 ,  5H029AM07 ,  5H029AM11 ,  5H029AM16 ,  5H029BJ13 ,  5H029DJ08 ,  5H029EJ04 ,  5H029HJ01 ,  5H029HJ18 ,  5H050AA02 ,  5H050AA08 ,  5H050BA16 ,  5H050CA01 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB11 ,  5H050CB12 ,  5H050DA09 ,  5H050EA08 ,  5H050FA04 ,  5H050FA18 ,  5H050GA15 ,  5H050HA01 ,  5H050HA18
引用文献:
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