無収縮セラミック基板及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-000131
公開番号（公開出願番号）：特開2013-093535
出願日： 2012年01月04日
公開日（公表日）： 2013年05月16日
要約：

【課題】本発明は、無収縮セラミック基板及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明による無収縮セラミック基板の製造方法は、ビア電極が形成されたセラミック基板を用意する第1段階と、上記セラミック基板にシード層を形成する第2段階と、上記シード層にめっき層を形成する第3段階と、を含むことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ビア電極が形成されたセラミック積層体を用意する第1段階と、前記セラミック積層体にシード層を形成する第2段階と、前記シード層にめっき層を形成する第3段階とを含む、無収縮セラミック基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K 3/46 , H05K 3/22

FI (2件)：

H05K3/46 H , H05K3/22 D

Fターム (35件)：

5E343AA02 , 5E343AA23 , 5E343BB09 , 5E343BB23 , 5E343BB24 , 5E343BB25 , 5E343BB72 , 5E343DD01 , 5E343DD23 , 5E343DD26 , 5E343DD33 , 5E343DD43 , 5E343ER11 , 5E343ER60 , 5E343GG20 , 5E346AA02 , 5E346AA15 , 5E346AA29 , 5E346AA43 , 5E346CC18 , 5E346CC32 , 5E346CC38 , 5E346CC39 , 5E346DD15 , 5E346DD17 , 5E346DD34 , 5E346EE21 , 5E346FF05 , 5E346FF07 , 5E346FF09 , 5E346GG17 , 5E346GG36 , 5E346GG40 , 5E346HH33 , 5E346HH40

引用特許：

審査官引用 (5件)

多層セラミック基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-178355 出願人：三星電機株式会社
薄膜配線基板の製造方法および薄膜配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-102589 出願人：富士通株式会社
特開平4-116891

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