特許

J-GLOBAL ID：201303040078198630

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 右田 達夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-049649
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187259
出願日： 2012年03月06日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：

【課題】チップオンチップ接続部分における接続不良の発生を防止することができるピラー電極を備えた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置1は、第1の半導体チップAと、合金膜24aと、はんだ層34と、第2の半導体チップBとを備える。第1の半導体チップは、一方の面にニッケルを主成分とするピラー電極23を有する。合金膜は、ピラー電極における第1の半導体チップ側とは逆側の端面に積層され、ピラー電極とはんだとの合金化を防止する。はんだ層は、合金膜におけるピラー電極側とは逆側の端面に積層される。第2の半導体チップは、はんだ層における合金膜側とは逆側の端面に連結される。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

一方の面にニッケルを主成分とするピラー電極を有する第1の半導体チップと、 前記ピラー電極における前記第1の半導体チップ側とは逆側の端面に積層され、前記ピラー電極とはんだとの合金化を防止する合金膜と、 前記合金膜における前記ピラー電極側とは逆側の端面に積層されるはんだ層と、 前記はんだ層における前記合金膜側とは逆側の端面に連結される第2の半導体チップと を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60

FI (4件)：

H01L25/08 B ,  H01L21/92 602D ,  H01L21/92 602C ,  H01L21/92 603B