特許
J-GLOBAL ID：201303040464186808

半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器

発明者：
香川 恵永

香川 恵永 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-170666
公開番号（公開出願番号）：特開2013-038112
出願日： 2011年08月04日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：
【課題】基板を貼り合わせて電極接合を行う半導体素子において、電極の腐食を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1接合部40と第2接合部60とが電極形成面を対向させて接合された半導体装置において、第1接合部40の絶縁層51と、絶縁層51の表面に形成された接合電極41と、絶縁層51表面に形成され、絶縁層51を介して接合電極41の周囲を囲む保護層44とを備える。さらに第2接合部60の絶縁層71と、絶縁層71の表面に形成された接合電極61と、絶縁層71表面に形成され、絶縁層71を介して接合電極61の周囲を囲む保護層64とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基体と、 前記半導体基体上に形成された絶縁層と、 前記絶縁層の表面に形成された接合電極と、 前記絶縁層表面に形成され、前記絶縁層を介して前記接合電極の周囲を囲む保護層と、を備える 半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 27/146 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (6件)：
H01L21/88 T ,  H01L21/88 S ,  H01L21/90 B ,  H01L27/14 A ,  H01L27/14 F ,  H01L25/08 B
Fターム (65件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118BA19 ,  4M118CA01 ,  4M118EA01 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA29 ,  4M118HA33 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033VV00 ,  5F033VV03 ,  5F033XX09 ,  5F033XX18
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法および半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-195112   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-302028   出願人：株式会社東芝, 東芝ナノアナリシス株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-006732   出願人：パナソニック株式会社

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