特許

J-GLOBAL ID：201303040531174143

半導体レーザ装置及び光トランシーバ

発明者： 伊藤 彰浩
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-032001
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168580
出願日： 2012年02月16日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：

【課題】半導体レーザの低温領域における緩和振動周波数の低下を抑制する。【解決手段】半導体レーザ装置は、半導体レーザの出力値をモニタするモニタ部と、環境温度を検出する温度検出部と、環境温度に基づいて出力値の指令値を生成する温度変化抑制部と、環境温度が低温領域において、非低温領域に比べて半導体レーザの出力が大きくなるように指令値を生成する制御部とを備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体レーザと、 前記半導体レーザの出力値をモニタするモニタ部と、 環境温度を検出する温度検出部と、 前記環境温度に基づいて前記出力値の指令値を生成する温度変化抑制部と、 前記環境温度が所定の基準よりも低い低温領域において、前記環境温度が前記低温領域よりも高い非低温領域に比べて前記半導体レーザの出力が大きくなるように前記指令値を生成する制御部 とを具備する半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/068 ,  H01S 5/12

FI (2件)：

H01S5/0683 ,  H01S5/12

Fターム (8件)：

5F173SC02 ,  5F173SE01 ,  5F173SF03 ,  5F173SF17 ,  5F173SF32 ,  5F173SF43 ,  5F173SF65 ,  5F173SF68