特許

J-GLOBAL ID：201303040662521400

放射線検出装置および放射線撮像システム

発明者： 望月 千織 ,  渡辺 実 ,  石井 孝昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-218383
公開番号（公開出願番号）：特開2013-038441
出願日： 2012年09月28日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：

【課題】スイッチ素子であるTFTに裏面光の入射を抑え、光電変換素子に裏面からの光を効率よく照射可能な構成とする。【解決手段】絶縁基板の第1面上に配置された第1の電極と、該第1の電極上に配置された第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置された半導体層と、により構成された電磁波を電気信号に変換する変換素子と、該変換素子に接続されたスイッチ素子と、を有する画素が複数設けられた電磁波検出装置であって、前記第1の電極は前記絶縁基板の前記第1面と対向する第2面側に配置された光源から発せられた光を透過する光透過性導電材料によって構成され、且つ、前記スイッチ素子は前記光源からの前記光が前記スイッチ素子へ入射することを防ぐ遮光部材を有することを特徴とする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

絶縁基板の第1面上に配置された第1の電極と、該第1の電極上に配置された第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置された半導体層と、により構成された電磁波を電気信号に変換する変換素子と、該変換素子に接続されたスイッチ素子と、を有する画素が複数設けられた電磁波検出装置であって、 前記第1の電極は前記絶縁基板の前記第1面と対向する第2面側に配置された光源から発せられた光を透過する光透過性導電材料によって構成され、且つ、前記スイッチ素子は前記光源からの前記光が前記スイッチ素子へ入射することを防ぐ遮光部材を有することを特徴とする電磁波検出装置。

IPC (5件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/144 ,  H04N 5/32 ,  H04N 5/374 ,  H01L 27/14

FI (5件)：

H01L27/14 C ,  H01L27/14 K ,  H04N5/32 ,  H04N5/335 740 ,  H01L27/14 D

Fターム (26件)：

4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA07 ,  4M118CA32 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118CB14 ,  4M118DD12 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB22 ,  4M118GA10 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GD15 ,  5C024AX11 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX24 ,  5C024GY31 ,  5C024HX40

引用特許：

出願人引用 (4件)

• イメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルおよびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-306517   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体X線検出器を有するX線検査装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-504987   出願人：フィリップスエレクトロニクスエヌベー
• ボトムゲート形薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにこれを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-190765   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
• 電磁波検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-329836   出願人：シャープ株式会社