特許

J-GLOBAL ID：201303040690429080

有機EL表示装置の製造方法

発明者： ▲濱▼口 敦 ,  佐藤 信彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 渡辺 敬介 ,  山口 芳広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-189766
公開番号（公開出願番号）：特開2013-084576
出願日： 2012年08月30日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：

【課題】高効率、長寿命かつ高精細の有機EL表示装置を低コストで製造できる有機EL表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも低分子有機EL材料を含む有機化合物層12、13a、19、14を形成する工程と、有機化合物層の上に中間層21、22を形成する工程と、中間層上にレジスト層23を形成する工程と、レジスト層23にパターン状の遮光部を有するフォトマスクを介して紫外光を照射し、紫外光が照射された領域のレジスト層を部分的に除去する工程と、レジスト層が除去された領域の有機化合物層を除去する工程と、を有しており、レジスト層23はポジ型レジストで構成される層であり、中間層は、有機化合物層を溶解しない溶媒に対して選択的に溶解可能な、鎖状構造を有する高分子有機材料からなる層21を含む。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

フォトリソグラフィー法による有機化合物層のパターニング工程を有する有機EL表示装置の製造方法であって、 少なくとも低分子有機EL材料を含む有機化合物層を形成する工程と、 前記有機化合物層の上に中間層を形成する工程と、 前記中間層上にレジスト層を形成する工程と、 前記レジスト層にパターン状の遮光部を有するフォトマスクを介して紫外光を照射し、前記紫外光が照射された領域の前記レジスト層を部分的に除去する工程と、 前記レジスト層が除去された領域の前記有機化合物層を除去する工程と、を有しており、 前記レジスト層はポジ型レジストで構成される層であり、 前記中間層は、前記有機化合物層を溶解しない溶媒に対して選択的に溶解可能な、鎖状構造を有する高分子有機材料からなる層を含むことを特徴とする、有機EL表示装置の製造方法。

IPC (2件)：

H05B 33/10 ,  H01L 51/50

FI (2件)：

H05B33/10 ,  H05B33/14 A

Fターム (10件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC04 ,  3K107CC22 ,  3K107CC35 ,  3K107CC45 ,  3K107FF06 ,  3K107GG06 ,  3K107GG12 ,  3K107GG28