特許
J-GLOBAL ID：201303040953051486
三次元微細加工基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桂川 直己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-232319
公開番号（公開出願番号）：特開2013-033995
出願日： 2012年10月19日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：
【課題】高密度かつ複雑な三次元微細構造の加工を可能にする。【解決手段】基板上の三次元微細構造は、以下の方法で作製される。第1工程では、真空中でIII-V族化合物半導体基板1の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板1の表面の自然酸化膜2をIII族酸化物3に置換させ、改質マスク部3を周期的に形成する。第2工程では、真空中で前記基板1を昇温させることにより、前記改質マスク部3以外の部分の前記自然酸化膜2を脱離させて基板表面を露出させる。第3工程では、真空にV族原料を供給した環境下で前記基板1を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部3上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み4を形成する。第4工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み4の部分にIII-V族化合物半導体結晶5を選択成長させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板の表面に形成されたIII-V族化合物層の表面に三次元微細構造が形成された三次元微細加工基板において、
前記三次元微細構造は、
真空中で前記III-V族化合物層の表面に描画ラインを複数交差させながら電子ビームを照射することにより、当該III-V族化合物層の表面の自然酸化膜をIII族酸化物に置換させ、前記基板上に改質マスク部を周期的に形成する第1工程と、
真空中で前記基板を昇温させることにより、前記改質マスク部以外の部分の前記自然酸化膜を脱離させてIII-V族化合物層表面を露出させる第2工程と、
真空にV族原料を供給した環境下で前記基板を所定温度で加熱することで、前記III-V族化合物層表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部上をホッピングさせることにより、当該露出部分に窪みを形成する第3工程と、
固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記描画ラインに囲まれた区域内の前記窪みの部分にIII-V族化合物結晶を選択成長させる第4工程と、
を含む方法により作製され、
当該三次元微細構造は、前記窪みの部分のIII-V族化合物成長結晶を含むことを特徴とする三次元微細加工基板。
IPC (2件)：
H01L 21/203
, H01L 21/302
H01L21/203 M
, H01L21/302 201
5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB01
, 5F004DB20
, 5F004EA01
, 5F004EB08
, 5F004FA04
, 5F103AA04
, 5F103DD03
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103LL03
, 5F103PP02
, 5F103PP20
, 5F103RR10
出願人引用 (3件)
-
結晶成長法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-315038
出願人：ソニー株式会社
-
電子ビーム微細加工方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-147189
出願人：学校法人関西学院
-
半導体構造作製法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-246212
出願人：日本電信電話株式会社
審査官引用 (2件)
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電子ビーム微細加工方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-147189
出願人：学校法人関西学院
-
半導体構造作製法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-246212
出願人：日本電信電話株式会社
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