特許
J-GLOBAL ID：201303040956948550

シリコン単結晶の製造方法

発明者：
木村 明浩

木村 明浩 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-095912
公開番号（公開出願番号）：特開2013-224224
出願日： 2012年04月19日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：
【課題】シリコン単結晶の有転位化を効率的に回避することができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン単結晶の最初の引き上げにおいて、ルツボ形状を有するルツボ基材の内部にルツボ形状に加工した合成石英ガラス材を配置し、該合成石英ガラス材の内部に多結晶シリコンを充填して溶融するとともに、前記合成石英ガラス材を前記ルツボ基材の内面に溶着させて前記石英ガラスルツボを製造し、引き続き、前記多結晶シリコンの溶融によって生じたシリコン融液から最初のシリコン単結晶を引き上げ、その後、2本目以降のシリコン単結晶の引き上げにおいては、前記最初の引き上げにおける前記多結晶シリコンの溶融によって生じた初期のシリコン融液の液面よりもシリコン融液の液面が低くなるように前記石英ガラスルツボに多結晶シリコンを充填して、シリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
石英ガラスルツボに多結晶シリコンを充填する工程と、前記石英ガラスルツボ内で前記シリコン多結晶を溶融してシリコン融液とする工程と、前記シリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げる工程とを繰り返し、同一の石英ガラスルツボを用いて複数本のシリコン単結晶を製造する方法であって、 前記シリコン単結晶の最初の引き上げにおいて、ルツボ形状を有するルツボ基材の内部にルツボ形状に加工した合成石英ガラス材を配置し、該合成石英ガラス材の内部に多結晶シリコンを充填して溶融するとともに、前記合成石英ガラス材を前記ルツボ基材の内面に溶着させて前記石英ガラスルツボを製造し、引き続き、前記多結晶シリコンの溶融によって生じたシリコン融液から最初のシリコン単結晶を引き上げ、その後、2本目以降のシリコン単結晶の引き上げにおいては、前記最初の引き上げにおける前記多結晶シリコンの溶融によって生じた初期のシリコン融液の液面よりもシリコン融液の液面が低くなるように前記石英ガラスルツボに多結晶シリコンを充填して、シリコン単結晶を引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ,  C30B 15/10
FI (2件)：
C30B29/06 502B ,  C30B15/10
Fターム (7件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF05 ,  4G077EG02 ,  4G077PB04 ,  4G077PB13 ,  4G077PD05
引用特許：
出願人引用 (7件)
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