特許

J-GLOBAL ID：201303041101825600

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 井上 達朗
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-033651
公開番号（公開出願番号）：特開2013-171897
出願日： 2012年02月20日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：

【課題】検査工程においてプローブの接触を安定させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】エッチングストッパ層ESは、下部層間絶縁層ILUの一部上に設けられ、当該下部層間絶縁層ILUと異なる材料により形成されている。第1層間絶縁層IL1は、下部層間絶縁層ILUおよびエッチングストッパ層ES上に設けられている。第2層間絶縁層IL2は、第1層間絶縁層IL1上に設けられている。開口部OPは、第1層間絶縁層IL1および第2層間絶縁層IL2に設けられ、平面視でエッチングストッパ層ESと重なる範囲内に設けられている。電極パッドEPは、第2層間絶縁層IL2の上面、開口部OPの側面およびエッチングストッパ層ESの上面に接している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下部層間絶縁層と、 前記下部層間絶縁層の一部上に設けられ、当該下部層間絶縁層と異なる材料により形成されたエッチングストッパ層と、 前記下部層間絶縁層および前記エッチングストッパ層上に設けられた第1層間絶縁層と、 前記第1層間絶縁層上に設けられた第2層間絶縁層と、 前記第1層間絶縁層および前記第2層間絶縁層に設けられ、平面視で前記エッチングストッパ層と重なる範囲内に設けられた開口部と、 前記第2層間絶縁層の上面、前記開口部の側面および前記エッチングストッパ層の上面に接する電極パッドと、 を備える半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320

FI (2件)：

H01L21/66 E ,  H01L21/88 T

Fターム (65件)：

4M106AA01 ,  4M106AD09 ,  4M106AD10 ,  4M106AD14 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM17 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN33 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033VV12 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20