特許

J-GLOBAL ID：201303041168843204

サファイア基板の製造方法及びサファイア基板

発明者： 芳井 基也寿
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人あーく特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-095962
公開番号（公開出願番号）：特開2013-225537
出願日： 2012年04月19日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：

【課題】4インチ以上の大口径の基板において、所望の面に基板を反らせ、その反り量を調整可能なサファイア基板の製造方法及びサファイア基板を提供する。【解決手段】サファイアインゴットからスライスして得られ、反りを有する基板10に複数工程に亘る加工を施すことによりサファイア基板を製造するサファイア基板の製造方法であって、基板10の両面を研削する研削工程と、研削工程後に、基板10の片面又は両面をウェットブラスト加工するウェットブラスト工程と、ウェットブラスト工程後に、基板10を保持する基板保持部材300に基板10を貼り付ける貼付工程と、貼付工程後に、基板10の凹面をラップ加工するラップ工程と、ラップ工程後に、基板10のラップ加工された面をCMP研磨する研磨工程と、を含む。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

サファイアインゴットからスライスして得られ、反りを有する基板に複数工程に亘る加工を施すことによりサファイア基板を製造するサファイア基板の製造方法であって、 前記基板の両面を研削する研削工程と、 前記研削工程後に、前記基板の片面又は両面をウェットブラスト加工するウェットブラスト工程と、 前記ウェットブラスト工程後に、前記基板を保持する基板保持部材に前記基板を貼り付ける貼付工程と、 前記貼付工程後に、前記基板の凹面をラップ加工するラップ工程と、 前記ラップ工程後に、前記基板の前記ラップ加工された面をCMP研磨する研磨工程と、 を含むことを特徴とするサファイア基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B24C 5/02

FI (6件)：

H01L21/304 622W ,  H01L21/304 601S ,  H01L21/304 621D ,  H01L21/304 611Z ,  B24C5/02 B ,  B24C5/02 C

Fターム (16件)：

5F057AA02 ,  5F057AA12 ,  5F057BA01 ,  5F057BA12 ,  5F057BB12 ,  5F057CA02 ,  5F057CA11 ,  5F057CA18 ,  5F057CA36 ,  5F057DA03 ,  5F057DA05 ,  5F057DA24 ,  5F057DA35 ,  5F057FA15 ,  5F057FA22 ,  5F057GA09