特許

J-GLOBAL ID：201303041206113347

転写用ドナー基板の製造方法およびデバイス基板の製造方法

発明者： 城 由香里 ,  谷村 寧昭 ,  藤森 茂雄
出願人/特許権者： 東レ株式会社
代理人 (2件)： 酒井 宏明 ,  寺崎 直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-035371
公開番号（公開出願番号）：特開2013-171735
出願日： 2012年02月21日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：

【課題】転写用材料の劣化を防ぎ、性能の高いデバイスを提供する。【解決手段】基板と、基板上に形成された光熱変換層と、前記光熱変換層上に形成された転写層を含む転写用ドナー基板の製造方法であって、前記光熱変換層上に、特定の一般構造式で表されるアントラセン前駆体化合物を含む転写材料を積層する積層工程と、前記積層工程で積層された転写材料中の前記アントラセン前駆体化合物を、減圧条件下で、特定の一般構造式で表されるアントラセン誘導体に変換する変換工程と、を含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成された光熱変換層と、該光熱変換層上に形成された転写層とを含む転写用ドナー基板の製造方法であって、 前記光熱変換層上に、下記一般式(1)で表されるアントラセン前駆体化合物を含む転写材料を積層する積層工程と、 前記積層工程で積層された転写材料中の一般式(1)で表されるアントラセン前駆体化合物を、減圧条件下で、下記一般式(2)で表されるアントラセン誘導体に変換する変換工程と、 を含むことを特徴とする転写用ドナー基板の製造方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  C09K 11/06

FI (3件)：

H05B33/10 ,  H05B33/14 B ,  C09K11/06 690

Fターム (10件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC04 ,  3K107CC22 ,  3K107CC45 ,  3K107DD59 ,  3K107DD66 ,  3K107FF17 ,  3K107GG09 ,  3K107GG28