特許
J-GLOBAL ID：201303041225315449

誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品

発明者：
カン・ソン・ヒョン

カン・ソン・ヒョン について

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チェ・ドゥ・ウォン

チェ・ドゥ・ウォン について

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ソン・ミン・スン

ソン・ミン・スン について

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ナム・チャン・ヒ

ナム・チャン・ヒ について


出願人/特許権者：
サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド.

サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. について


代理人 (2件)： 加藤 公延 ,  大島 孝文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-179406
公開番号（公開出願番号）：特開2013-136501
出願日： 2012年08月13日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：
【課題】信頼性を確保するために、誘電体層の厚さを薄くせずに、従来の誘電体層と同様の容量を実現する誘電体組成物を提供する。【解決手段】BamTiO3を含む母材粉末と、ジルコニウム(Zr)酸化物または炭化物を含む第1副成分と、マグネシウム(Mg)、ストロンチウム(Sr)及びバリウム(Ba)のうち少なくとも一つを含む酸化物または炭化物を含む第2副成分と、少なくとも一つの希土類元素を含む酸化物を含む第3副成分と、少なくとも一つの遷移金属を含む酸化物を含む第4副成分と、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)及びタンタル(Ta)のうち少なくとも一つを含む酸化物を含む第5副成分と、ケイ素(Si)またはアルミニウム(Al)のうち少なくとも一つを含む酸化物を含む第6副成分と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
BamTiO3(0.995≦m≦1.010)を含む母材粉末と、 前記母材粉末100モルに対して、ジルコニウム(Zr)酸化物または炭化物0.1〜0.6モルを含む第1副成分と、 前記母材粉末100モルに対して、マグネシウム(Mg)、ストロンチウム(Sr)及びバリウム(Ba)のうち少なくとも一つを含む酸化物または炭化物0.8〜6.0モルを含む第2副成分と、 前記母材粉末100モルに対して、少なくとも一つの希土類元素を含む酸化物0.2〜1.8モルを含む第3副成分と、 前記母材粉末100モルに対して、少なくとも一つの遷移金属を含む酸化物0.05〜0.30モルを含む第4副成分と、 前記母材粉末100モルに対して、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)及びタンタル(Ta)のうち少なくとも一つを含む酸化物0.05〜0.35モルを含む第5副成分と、 前記母材粉末100モルに対して、ケイ素(Si)またはアルミニウム(Al)のうち少なくとも一つを含む酸化物0.5〜4.0モルを含む第6副成分と、を含む誘電体組成物。
IPC (4件)：
C04B 35/468 ,  H01B 3/12 ,  H01G 4/12 ,  H01G 4/30
FI (4件)：
C04B35/46 D ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/30 301E
Fターム (56件)：
4G031AA03 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA16 ,  4G031AA17 ,  4G031AA18 ,  4G031AA19 ,  4G031AA21 ,  4G031AA22 ,  4G031AA23 ,  4G031AA29 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA03 ,  4G031CA05 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AE05 ,  5E082AB03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082PP03 ,  5E082PP09 ,  5G303AA01 ,  5G303AB02 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB08 ,  5G303CB17 ,  5G303CB21 ,  5G303CB22 ,  5G303CB26 ,  5G303CB30 ,  5G303CB32 ,  5G303CB33 ,  5G303CB35 ,  5G303CB36 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CD01 ,  5G303CD04 ,  5G303CD07 ,  5G303DA05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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