特許
J-GLOBAL ID：201303041246576188
光電変換素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
川上 桂子
, 松山 隆夫
, 坂根 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-050244
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187287
出願日： 2012年03月07日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：
【課題】シリコン基板の面内方向で第1半導体層の幅寸法が小さくても、第1半導体層と第1電極との接触抵抗が大きくなるのを抑えることができる、光電変換素子を提供することを、目的とする。【解決手段】光電変換素子10は、シリコン基板12と、第1半導体層18と、第2半導体層20と、第1電極24nと、第2電極24pとを備える。シリコン基板12は、第1導電型を有する。第1半導体層18は、第1導電型を有し、シリコン基板12の裏面側に形成される。第2半導体層20は、第1導電型と反対の第2導電型を有し、シリコン基板12の面内方向において前記第1半導体層に隣接して形成され、第1半導体層18よりもシリコン基板12の面内方向の幅寸法が大きい。第1電極24nは、第1半導体層18上に形成される。第2電極24pは、第2半導体層20上に形成される。第1電極24nと第1半導体層18との接触界面に凹凸22がある。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型を有するシリコン基板と、
前記第1導電型を有し、前記シリコン基板の裏面側に形成された第1半導体層と、
前記第1導電型と反対の第2導電型を有し、前記シリコン基板の面内方向において前記第1半導体層に隣接して形成されるとともに、前記第1半導体層よりも前記シリコン基板の面内方向の幅寸法が大きい第2半導体層と、
前記第1半導体層上に形成された第1電極と、
前記第2半導体層上に形成された第2電極とを備え、
前記第1電極と前記第1半導体層との接触界面に凹凸が形成されている、光電変換素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151CB27
, 5F151DA10
, 5F151FA16
, 5F151FA19
, 5F151FA24
