特許
J-GLOBAL ID：201303041268268460

増幅形光電変換素子のゲイン可変方法、およびゲイン可変光電変換素子

発明者：
林 豊

林 豊 について

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米田 和洋

米田 和洋 について

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渡辺 博文

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愛須 克彦

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根来 宝昭

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太田 敏隆

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永宗 靖

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出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

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株式会社リコー

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代理人 (2件)： 田中 光雄 ,  鮫島 睦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-057133
公開番号（公開出願番号）：特開2013-225847
出願日： 2013年03月19日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：
【課題】低照度での信号処理と光強度が大きくなった場合の大電流処理が両立でき、大きなダイナミックレンジを確保できる、増幅形光電変換素子のゲイン可変方法、およびゲイン可変光電変換素子を提供する。【解決手段】増幅形光電変換部分は、光電変換要素101と、ダーリントン回路を構成する増幅用トランジスタ100-1,100-2とを含む。各増幅用トランジスタのベースには電界効果トランジスタ10-1,10-2の各ソースが、エミッタには各ドレインがそれぞれ接続される。電界効果トランジスタ10-1,10-2の各ゲートはゲイン制御部として機能する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光電変換要素とコレクタ・ベース・エミッタを有する複数のトランジスタから構成される増幅形光電変換部分と、ソース・ドレイン・ゲートを有する複数の電界効果トランジスタとを備え、前記複数のトランジスタは、各々のトランジスタのエミッタとベース間には電界効果トランジスタのソースとドレインが接続され、 前記光電変換要素は、前記、複数のトランジスタの中から選択されたトランジスタのベースに接続され、 前記光電変換要素は、光強度または光波長の光入力情報を、電流、電荷、電圧の電気量に光電変換する素子であり、 前記、複数のトランジスタのコレクタの少なくとも1つが第1出力部であり、 前記、複数のトランジスタのエミッタの1つが第2出力部であり、 前記、複数のトランジスタの第2出力部ではない他のエミッタは、光電変換要素がベースに接続されている前記選択されたトランジスタ以外の前記、複数のトランジスタのベースに接続され、 前記光電変換された電気量が、増幅された電流または電荷からなる電気信号として、前記第1出力部または第2出力部から得られるように構成された増幅形光電変換素子において、 各ゲートにゲイン制御電位を与えることにより、前記第1出力部または前記第2出力部から得られる前記電気信号のゲインが変化する、 ことを特徴とする増幅形光電変換素子のゲイン可変方法。
IPC (2件)：
H03G 3/10 ,  H04N 5/374
FI (2件)：
H03G3/10 D ,  H04N5/335 745
Fターム (12件)：
5C024CX43 ,  5C024GX02 ,  5C024HX18 ,  5C024HX23 ,  5C024HX29 ,  5C024HX40 ,  5C024HX47 ,  5J100AA01 ,  5J100BA10 ,  5J100BB02 ,  5J100BC07 ,  5J100EA02
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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