特許

J-GLOBAL ID：201303041450295457

化学気相成膜装置及び化学気相成膜方法

発明者： 澁谷 宗裕
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-026086
公開番号（公開出願番号）：特開2013-163831
出願日： 2012年02月09日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：

【課題】貫通穴を有する基材に膜を形成する際に、膜の形成を欲しない基材面に膜が形成されることを抑制することができる化学気相成膜方法と、これを実行する化学気相成膜装置を提供する。【解決手段】高周波電圧が印加される第1電極100と、基材300が載置される第2電極200とを備える化学気相成膜装置1であって、第2電極と基材との間に気体を供給する気体供給部211と、第2電極に直流電圧を印加するバイアス部とを備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

プラズマを励起する電圧が印加される第1電極と、基材が載置される第2電極と、を備える化学気相成膜装置であって、 前記第2電極と前記基材との間に気体を供給する気体供給部と、 前記第2電極に直流電圧を印加するバイアス部と、 を備えること、を特徴とする化学気相成膜装置。

IPC (2件)：

C23C 16/509 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

C23C16/509 ,  H01L21/285 C

Fターム (12件)：

4K030CA11 ,  4K030CA17 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030KA02 ,  4K030KA12 ,  4K030KA14 ,  4K030KA20 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104HH20